【产品】瑶芯微推出的N沟道SGT MOSFET AKG100N077G，栅-源电压最大额定值为±20V

时间： 2023-03-25 来源：瑶芯微

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瑶芯微推出型号为AKG100N077G的N沟道SGT MOSFET，具有极低的导通电阻（R_DSON），同时保持出色的开关特性，特别适用于高效电源管理应用。

最大额定参数值和电气参数方面（T_A=25℃，除非另有说明），器件漏-源电压最大额定值为100V，持续漏极电流最大额定值高达80A（T_C=25℃，漏极电流最大额定值受限于器件封装)，栅-源电压最大额定值为±20V，器件耗散功率最大额定值为52W（T_C=25℃），器件工作温度和存储温度范围均宽至-55℃~+150℃。器件主要应用于DC/DC转换器，电源管理，电机驱动器以及负载开关等领域。

器件特征:

N沟道SGT MOSFET，且针对其高速平滑开关特性进行了优化
出色的栅极电荷×R_DSON（FOM）特性
具有非常低的导通电阻
符合RoHS标准（详细信息可联系 ALKAIDSEMI销售）
无卤器件（详细信息可联系 ALKAIDSEMI销售）

器件应用领域:

DC/DC转换器
电源管理
电机驱动器
负载开关

最大额定值（T_A=25℃，除非另有说明）

热阻值

Note：

1.最大漏极电流额定值受限于器件封装；

2.重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制；

3.L=0.3mH，V_DD=20V，I_AS=10.5A，R_G=25Ω，T_J=25℃开始；

4.贴装在最小PCB板上；

电气参数（T_J=25℃，除非另有说明）

Note：

1.脉冲测试条件：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；

2.几乎与工作温度无关；

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