【产品】P沟道功率MOSFET XTR2N0500系列，可降低漏电流，适用于开关和线性应用
XTR2N0500是一个35V、P沟道功率MOSFET系列，设计用于在宽温度范围内可靠工作。在-60至+230℃范围内保证了全部功能，但在低于和高于此温度范围也可工作。XTR2N0500系列器件采用绝缘体上硅（SOI）工艺制造，可降低漏电流，同时提供高漏极电流和低RDS(on)。这些特性使XTR2N0500器件非常适合开关和线性应用。XTR2N0500系列器件旨在通过缩短学习曲线并提供智能且易于使用的功能来降低系统成本和简化应用。XTR2N0500系列器件采用坚固耐用的8引线侧面钎焊DIP封装和带ePAD的8引线鸥翼扁平封装。器件也可提供经过测试的裸片。
特点：
• 最小BVDSS=-40V
• 允许的VGS范围为–5.5V至+5.5V
• 可在-60℃至+230℃温度范围外工作
• 低RDS(on)
o XTR2N0525：2.3Ω@230℃
o XTR2N0550：1.1Ω@230℃
• 最大峰值ID：
o XTR2N0525：5.3A@230℃
o XTR2N0550：11.7A@230℃
• 导通时间 （td(on)+tr）：
o XTR2N0525：26纳秒@230℃
o XTR2N0550：31纳秒@230℃
• 关断时间（td(off)+tf）：
o XTR2N0525：76纳秒@230℃
o XTR2N0550：91纳秒@230℃
• 坚固耐用的8引线侧面钎焊DIP封装和带ePAD的8引线鸥翼扁平封装
• 也可提供经过测试的裸片
应用：
• 对可靠性至关重要的，汽车，航空航天，井下
• DC/DC转换器，电源开关，电机控制，功率逆变器，功率线性调节器，电源
产品亮点：
订购信息：
绝对最大额定值
注意：超出“绝对最大额定值”中列出的参数可能会对设备造成永久性损坏。这些只是参数额定值，并不意味着设备在这些或任何其他条件下的功能超出了规范的工作部分所示的条件。长时间暴露在“绝对最大额定值”条件下可能会永久影响设备的可靠性。
封装
热特性
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|
产品型号
|
品类
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Package
|
Operating Temperature
|
Minimum BVᴅss
|
RDS(ON)@230℃
|
Maximum Peak ID @230℃
|
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XTR2N0325-TD
|
P-CHANNEL POWER MOSFETs
|
Tested Die
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-60℃ to +230℃
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-30V
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1.05 Ω
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7.5 A
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选型表 - EASII IC 立即选型
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