【产品】P沟道功率MOSFET XTR2N0500系列,可降低漏电流,适用于开关和线性应用
XTR2N0500是一个35V、P沟道功率MOSFET系列,设计用于在宽温度范围内可靠工作。在-60至+230℃范围内保证了全部功能,但在低于和高于此温度范围也可工作。XTR2N0500系列器件采用绝缘体上硅(SOI)工艺制造,可降低漏电流,同时提供高漏极电流和低RDS(on)。这些特性使XTR2N0500器件非常适合开关和线性应用。XTR2N0500系列器件旨在通过缩短学习曲线并提供智能且易于使用的功能来降低系统成本和简化应用。XTR2N0500系列器件采用坚固耐用的8引线侧面钎焊DIP封装和带ePAD的8引线鸥翼扁平封装。器件也可提供经过测试的裸片。
特点:
• 最小BVDSS=-40V
• 允许的VGS范围为–5.5V至+5.5V
• 可在-60℃至+230℃温度范围外工作
• 低RDS(on)
o XTR2N0525:2.3Ω@230℃
o XTR2N0550:1.1Ω@230℃
• 最大峰值ID:
o XTR2N0525:5.3A@230℃
o XTR2N0550:11.7A@230℃
• 导通时间 (td(on)+tr):
o XTR2N0525:26纳秒@230℃
o XTR2N0550:31纳秒@230℃
• 关断时间(td(off)+tf):
o XTR2N0525:76纳秒@230℃
o XTR2N0550:91纳秒@230℃
• 坚固耐用的8引线侧面钎焊DIP封装和带ePAD的8引线鸥翼扁平封装
• 也可提供经过测试的裸片
应用:
• 对可靠性至关重要的,汽车,航空航天,井下
• DC/DC转换器,电源开关,电机控制,功率逆变器,功率线性调节器,电源
产品亮点:
订购信息:
绝对最大额定值
注意:超出“绝对最大额定值”中列出的参数可能会对设备造成永久性损坏。这些只是参数额定值,并不意味着设备在这些或任何其他条件下的功能超出了规范的工作部分所示的条件。长时间暴露在“绝对最大额定值”条件下可能会永久影响设备的可靠性。
封装
热特性
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由零点翻译自EASII IC,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】30V P沟道功率MOSFET系列XTR2N0300,可降低漏电流,适合开关和线性应用
XTR2N0300是一款30V的P沟道功率MOSFET系列,设计用于在宽温度范围内可靠工作。在-60℃至+230℃范围内保证了全部功能,但在低于和高于此温度范围也可实现良好工作。XTR2N0300系列器件采用绝缘体上硅(SOI)工艺制造,可降低漏电流。
产品 发布时间 : 2023-01-01
【产品】35V P沟道功率MOSFET XER2N0525,采用绝缘体上硅工艺制造,工作温度-60~+175℃
XER2N0525是EASii IC推出的一款35V P沟道功率MOSFET,可在宽温度范围内工作。在-60℃至+175℃的温度范围内工作能保证功能完整,高于或者低于该温度范围也能良好工作。
产品 发布时间 : 2022-10-26
【产品】高压P沟道功率MOSFET器件CHT-PMOS30xx,工作温度高达+250℃
CISSOID是比利时一家专注高温半导体及电力电子技术的IC设计公司,其推出的高压P沟道功率MOSFET器件CHT-PMOS30xx,包括CHT-PMOS3002、CHT-PMOS3004和CHT-PMOS3008。
产品 发布时间 : 2022-04-01
EASii IC 集成电路产品选型指南
描述- X-REL Semiconductor, a division of EASii IC, designs innovative High-Reliability & High-Temperature Integrated Circuits and systems for a wide range of application fields. Products are made to reliably perform for years while ensuring the reduction of the overall system costs all along the product lifecycle.
型号- XTR30018-,XTR1N0450-,XER2N0525,XTR60012-,XER2N0525-,XTR70022C-,XTR2601X,XTR65X FAMILY,XTR431,XTR75035-,XTR70022K-,XTR40010-,XTR25411-,XTR2N0307-,XTR2N0525-,XTR75011-,XTR30011-S,XTR20412A,XTR20412B,XTR30010-,XTR1N0815,XTR30021,XTR2N0807,XTR1N0415,XTR50011-,XTR5417X,XTR5001X FAMILY,XTR7503X,XTR50012,XTR70022B-,XTR2N0425,XTR50015,XTR SERIES,XTR30017-,XTR50014,XTR2N0825,XTR2N0307,XTR541G74-,XTRNNNNNP,XTR70022J-,XTR2N03XX,XTR2N0807-,XTR2041X,XTR1N04XX,XTR655,XTR70011-,XTR40011-,XTR1K1210-,XTR30021-,XTR7501X FAMILY,XTR3001X FAMILY,XTR7002X FAMILY,XTR2081X,XTR1N08XX,XTR2N0350-,XTR54175-,XTR7503X FAMILY,XTR30016-,XTR70022A-,XTR70022I-,XTR2N0350,XTR2081X FAMILY,XTR6001X FAMILY,XER30019-,XTR40012-,XTR20811-,XTR70022R-,XTR2N0325-,XTR4001X,XTR54175,XTR2N0450-,XTR50011,XTR2N0525,XTR30015-,XTR2602X,XTR2N08XX,XTR6001X,XTR70022H-,XTR1K1210,XTR2N04XX,XTR75014-,XTR70022Q-,XTR1N0815-,XTR2N0825-,XTR70025-,XTR655-,XTR75030-,XTR50010-,XTR3002X FAMILY,XTR7001X FAMILY,XTR30014-,XTR541G74,XTR70022G-,XTR1N0850-,XTR2N0450,XTR20412B-,XTR25020,XTR25011-,XTR75015-,XTR2N0850,XTR70022P-,XTR26020-,XTR75031-,XTR1N0850,XTR54000 FAMILY,XTR70020-,XTR54170-,XTR1N0450,XTR70022F-,XTR431-,XTR20412A-,XTR2N05XX,XTR25010-,XTR70022N-,XTR70022O-,XTR26021-,XTR70015-,XER30019,XTR541G7X,XTR3001X,XTR2502X,XTR2541X FAMILY,XTR70022E-,XTR2N0550,XTR650-,XTR25021-,XTR70022M-,XTR70010-,XTR,XTR7002X,XTR2541X,XTR2N0850-,XTR2N0X07,XTR7501X,XTR2N0325,XTR70022D-,XTR60011-,XTR3002X,XTR2501X,XTR5001X,XTRNNNNN,XTR651-,XTR1N0415-,XTR20411A-,XTR70022L-,XTR70021-,XTR75010-,XTR20812,XTR5417X FAMILY,XTR65X,XTR20811,XTR75034-,XTR7001X,XTR2N0425-,XTR20412,XTR20411,XTR54000,XTR50014-,XTR30011-,XTR2N0550-,XTR54000-
【产品】N/P沟道功率MOSFET DI045N03PT和DI035P04PT,采用QFN3x3小型封装,可节省空间
Diotec推出DI045N03PT型N沟道功率MOSFET和DI035P04PT型P沟道功率MOSFET,采用QFN3x3小型封装,具有高速开关特性和低栅极电荷,可用于电源管理单元,电池供电的设备和负载开关,极性保护等领域。
新产品 发布时间 : 2020-11-03
【应用】国产P沟道功率MOSFET管AO3401在开关电源的应用,满足严苛的环境要求
我们知道MOS管在电路中可以起到开关作用,还有放大、阻抗变换、振荡等等作用。在设计中,很多客户就是利用MOS管的低导通内阻特点作为开关的比较多。本文将介绍辰达行的P沟道功率MOSFET管AO3401是如何应用在开关电源的。
应用方案 发布时间 : 2022-03-26
XTR2N0500 High Temperature 35V P-Channel Power MOSFET Data Sheet
型号- XTR2N0525,XTR2N0525-FE,XTR2N0525-TD,XTR2N0550-TD,XTR2N0500 FAMILY,XTR2N0550,XTR2N0500,XTR2N05XX,XTR2N0525-D
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论