【产品】650V N沟道MOSFET TMA/TMC/TMD/TMP/TMU6N65HG，脉冲漏极电流达24A

时间： 2019-10-27 来源：无锡紫光微

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无锡紫光微电子有限公司是由紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业，是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。无锡紫光微推出了TMA6N65HG，TMC6N65HG，TMD6N65HG，TMP6N65HG和TMU6N65HG的650V N沟道MOSFET。封装方式分别为TO-220F，TO-262，TO-252，TO-220和TO-251。

该几款产品的特点：

•快速切换

•100%雪崩测试

•改进的dv / dt功能

该几款产品的应用：

•开关电源(SMPS)

•不间断电源(UPS)

•功率因数校正(PFC)

该几款产品封装和内部电路：

该几款产品工作结温和存储温度范围都为-55~150℃，可以在严苛的温度环境工作。漏源电压为650V，连续漏极电流在25℃时为6A，在100℃时为3.6A。栅源电压为±30V，脉冲漏极电流为24A，重复雪崩能量35mJ，单脉冲雪崩能量为176mJ，雪崩电流为4.2A，具有较好的抗浪涌性。

该几款产品的最大额定值；

该几款产品的标记和封装信息：

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型号- WSF4N65

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型号- TMW25N50HG,TMV25N50HG

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