【产品】650V N沟道MOSFET TMA/TMC/TMD/TMP/TMU6N65HG,脉冲漏极电流达24A
无锡紫光微电子有限公司是由紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业,是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。无锡紫光微推出了TMA6N65HG,TMC6N65HG,TMD6N65HG,TMP6N65HG和TMU6N65HG的650V N沟道MOSFET。封装方式分别为TO-220F,TO-262,TO-252,TO-220和TO-251。
该几款产品的特点:
•快速切换
•100%雪崩测试
•改进的dv / dt功能
该几款产品的应用:
•开关电源(SMPS)
•不间断电源(UPS)
•功率因数校正(PFC)
该几款产品封装和内部电路:
该几款产品工作结温和存储温度范围都为-55~150℃,可以在严苛的温度环境工作。漏源电压为650V,连续漏极电流在25℃时为6A,在100℃时为3.6A。栅源电压为±30V,脉冲漏极电流为24A,重复雪崩能量35mJ,单脉冲雪崩能量为176mJ,雪崩电流为4.2A,具有较好的抗浪涌性。
该几款产品的最大额定值;
该几款产品的标记和封装信息:
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由川军团烦了翻译自无锡紫光微,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】650V/6A的N沟道MOSFET TMA/C/D/P/U6N65H,可快速开关
无锡紫光微公司的650V N沟道MOSFET TMA6N65H,TMC6N65H,TMD6N65H,TMP6N65H,TMU6N65H具有快速开关的性能特点以及100%雪崩测试和改进的dv/dt功能,主要应用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、功率因数校正(PFC)等领域。
新产品 发布时间 : 2020-08-12
【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/D/R/U7N65HG,开关速度快
无锡紫光微电子的5款N沟道MOSFET:TMA7N65HG、TMC7N65HG、TMD7N65HG、TMR7N65HG、TMU7N65HG是VDMOSFET(即垂直双扩散场效应晶体管),具有更小的开关损耗和更快的开关速度,输入阻抗高,驱动功率小,频率特性好,并且具有负的温度系数。
新产品 发布时间 : 2020-08-01
【产品】漏源电压200V的N沟道MOSFET,漏极电流40A,RDS仅为50mΩ
无锡紫光微电子推出的TMA40N20HG是一款N沟道MOSFET,其漏源电压200V,采用专有的新平面技术以及快速恢复体二极管,该MOSFET的RDS(ON)在VGS = 10V时典型值仅为50mΩ,其低栅极电荷可将开关损耗降至最低。产品主要应用于DC-DC转换器、UPS用DC-AC逆变器、开关电源和电机控制等领域。
新产品 发布时间 : 2020-11-23
【产品】500V/5A的N沟道增强型功率MOSFET SFF5N50TS/SFD5N50TS,采用平面条形VDMOS技术
SFF5N50TS/SFD5N50TS是Hi-Semicon推出的采用其专有的平面条形VDMOS技术生产的N沟道增强型功率场效应晶体管,分别采用TO-220F-3L和TO-252-2L封装,适用于功率因数校正、开关电源、不间断电源及LED照明电源等应用。
产品 发布时间 : 2023-05-31
【产品】国产N沟道功率MOSFET SL13N50FS,可用于高频开关电源和有源功率因数校正
深圳市萨科微半导体有限公司SLKOR推出一款采用TO-220F封装的N沟道功率MOSFET SL13N50FS,可用于高频开关电源和有源功率因数校正。
产品 发布时间 : 2022-02-19
【产品】1000V/4A的N沟道MOSFET TMA/P4N100H,封装为TO-220/TO-220F
无锡紫光微电子推出的1000V/4A的N沟道MOSFET TMA4N100H和TMP4N100H,封装为TO-220/TO-220F,主要应用在开关电源(SMPS);不间断电源(UPS);功率因数校正(PFC)中,工作结温和存储温度范围为-55℃~+150℃。
新产品 发布时间 : 2020-03-15
【产品】500V/15A的N沟道MOSFET TMA15N50H,采用TO-220F封装
无锡紫光微推出的TMA15N50H是1款500V的N沟道MOSFET,漏源电压最大额定值为500V,栅源电压最大额定值为±30V,脉冲漏极电流最大额定值为60A,重复雪崩能量最大额定值为54mJ,采用TO-220F封装。产品符合RoHS标准,可应用于开关电源(SMPS),不间断电源(UPS),功率因数校正(PFC)等领域。
新产品 发布时间 : 2019-11-09
【产品】TMA5N70H~TMU5N70H系列700V N沟道MOSFET,脉冲漏极电流可达20A
TMA5N70H,TMD5N70H,TMU5N70H是无锡紫光微推出的系列700V N沟道MOSFET。系列MOSFET通过100%雪崩测试,具有快速开关特性和改进的dv/dt特性。系列MOSFET符合RoHS标准,可应用于开关模式电源(SMPS),不间断电源(UPS),功率因数校正(PFC)等领域。
新产品 发布时间 : 2020-10-09
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论