【产品】采用SOD-323封装的单线单向TVS二极管SES2411D3,峰值脉冲功率达1800W
萨瑞微电子推出一款单线单向TVS二极管SES2411D3,采用先进的单片硅技术,可提供快速响应时间和低ESD钳位电压特性,使该器件成为保护电压敏感数据和电源传输线的理想解决方案。器件其小尺寸封装和高ESD浪涌保护能力,使其成为保护诸如手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择方案。
TA=25℃、RH=45%-75%时,器件峰值脉冲功率为1800W(tp=8/20μs,波形),峰值脉冲电流高达35A(8/20μs)。在VR=0V,f=1MHz条件下,其结电容典型值为200pF,反向漏电流最大值低至0.2µA(VRWM=24V)。
该器件符合IEC61000-4-2(ESD)标准,可提供±30kV空气放电和±30kV接触放电的ESD防护等级,器件工作温度范围为-55℃至125℃,存储温度范围宽至-55℃至150℃,器件采用SOD-323外壳封装。其引脚配置如下图所示:
产品特点
小尺寸SOD-323外壳封装
支持保护一条数据或者电源线
工作电压:24V
高峰值脉冲电流能力
超低钳位电压
符合RoHS标准
机械特性
器件封装:SOD-323
引脚处理:雾锡
外壳材料:绿色环保塑封
湿度敏感度:3级(J-STD-020标准)
产品应用
移动电话及其配件
电池保护
电源保护
手持便携式设备应用
外围设备
最大额定参数(TA=25℃,RH=45%-75%,除非另有说明)
电气特性(除非另有说明,TA=25℃)
产品订购信息
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萨瑞微电子ESD保护器件选型表
萨瑞微提供的ESD保护器件(ESD Diode),先进的单片硅技术,保护电压敏感的数据和电源线;符合IEC-6100-4-2 4级ESD标准(±30kV空气和±30kV接触)放电电压;符合IPC/JEDEC J-STD-033C MSD 3级标准;超小尺寸DFN封装;主要应用于手机和配件、个人数字助理、笔记本和手持设备、便携式仪器、数码相机、外围设备、音频播放器、键盘、侧键、LCD显示器等。
产品型号
|
品类
|
极性
|
Max Reverse Working Voltage VRWM(V)
|
Junction Capacitance Cj(pF)
|
Peak Pulse Current IPP@8/20uS(A)
|
Min Breakdown Voltage VBR(V)
|
Max Breakdown Voltage(V)
|
Max Leakage Current IR@VRWM(uA)
|
Max Clamping Voltage VC@lpp1A 8/20uS(V)
|
Max Clamping Voltage Vc@Ipp=Max Clamping Voltage(V)
|
Max Peak Pulse Power PPP(W)
|
Marking
|
SEL0201P0
|
ESD Diode
|
双向
|
2.5
|
20
|
8
|
3.1
|
4.5
|
0.2
|
4.2
|
7
|
55
|
C02
|
选型表 - 萨瑞微电子 立即选型
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