【应用】ROHM 1200V SiC MOSFET用于2kW DC-DC电源,电源功率密度大幅度提升
在高电源输入DC-DC降压电源应用中,由于输入高压达到800VDC,需求功率转换器件(IGBT或者MOSFET)需求达到1200V耐压甚至更高,1200V IGBT开关频率难以提高,1200V Si MOS目前市面上比较少见且成本很高,1200V SiC MOSFET就成为比较理想的功率开关器件。
以下面实际案例来看:高压输入800V,输出350V,输出电流大概6A额定电流,电源模块2kW,母线电压达到800-850V,推荐ROHM 1200V/160mΩ 的SCT3160KL;同时BUCK降压电源对于续流二极管的反向恢复特性也有较高要求,推荐ROHM 1200V/10A的SCS210KE2应用。
图1 ROHM SCT3160在DC-DC降压电源上的应用
在该类电源方案中,SiC MOS带来的优势如下:
(1)电源模块需求高功率密度,SiC MOS高开关频率带来功率电感体积减小,电源功率密度大幅度提升;
(2) ROHM SCT3160对比与IGBT或者普通1200V Si mos方案,电源的转换效率会提升,同时综合成本来看(包括功率电感/电源整体体积)会有一定优势;
同时 ROHM SCT3160可以兼容替换C3M0160120D,目前市场SiC器件供货紧张,ROHM可以给客户提供更多的方案选择。
从上面参数对比可以看出, SCT3160可以与C3M0160120D做兼容方案。
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