专注第三代半导体SiC MOSFET芯片研发——中科汉韵（zhongkeha）
江苏中科汉韵半导体有限公司聚焦于第3代半导体SiC MOSFET芯片的研发、生产和销售，同时设计和生产与之相配的SiC 二极管（JBS）。中科汉韵还研发与自产的SiC 芯片配套的SiC驱动芯片和先进封装技术和模块，但是驱动芯片和先进模块的生产由合作企业完成。
碳化硅功率器件
相比于传统的Si基二极管，具有更低的正向电压，更高的反向电压650~1200V的电压。
几乎为零的反向恢复时间。
更可靠和低成本的碳化硅功率器件。
碳化硅MOSFET相比传统硅基MOSFET，拥有更高的漏极关断耐压和更低的导通电阻，可以覆盖到硅基MOSFET无法覆盖的1000V以上的应用领域。
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