【产品】TO-247-4封装的1200V国产SiC单管通道模块ASC100N1200MT4，具备低接通电阻特性
SiC MOSFET使用了一种全新的技术，提供了优越的开关性能和比硅有更高的可靠性。爱仕特专注于第三代半导体碳化硅（SiC）MOS芯片设计、功率模块的生产制造及其基于SiC器件在新能源领域的应用系统开发方案，由武岳峰资本及国内多家知名投资机构投资数亿元，中国科学院及清华大学博士领军，数十位半导体行业资深人士共同组建的高科技技术创新性企业。公司拥有全自主知识产权，已申请25项专利技术，采用6英寸技术已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET产品，并建立起车规级的SiC MOS模块工厂，可为客户提供整套应用解决方案，产品已大量出口欧洲和美国客户。
ASC100N1200MT4是爱仕特推出的一款1200V的SiC单管通道模块。此外，ASC100N1200MT4低接通电阻和紧凑芯片尺寸特性，确保了低电容和栅极电荷。因此，系统效益及系统效率最高，工作频率更快，功率密度增加，电磁干扰能力降低，以及减少系统大小。
功能：
低容量高速开关
高阻滞电压，低RDS（开启）
优化的软件包与单独的驱动程序源引脚
易于并行，易于驱动
符合ROHS标准，无卤素标准
性能参数：
应用程序：
电动汽车驱动器
高压直流/直流转换器
开关模式电源
太阳能逆变器
电动汽车充电
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产品型号
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品类
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Package
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Voltage（V）
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RON(mohm)
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Temperature Range(℃)
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Status
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ASC8N650MT3
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SiC Chips
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TO-247-3
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650V
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320mohm
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-40~175℃
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Development
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选型表 - 爱仕特 立即选型
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一个项目需要一个MOS管，耐压1200V，频率到40KHz，导通电阻在20mΩ以下，请问有合适的国产推荐吗？
您好，推荐爱仕特的ASC100N1200MT4，耐压1200V，导通电阻17mΩ，低电容高速开关 数据手册请参考：https://www.sekorm.com/doc/3238465.html
氢燃料电驱项目中，DC-DC部分采用LLC，目前在评估SIC MOS管方案，1200V,100A 左右的SIC 场效应管方案是否有合适的国产推荐？
你好，可以评估一下爱仕特的ASC100N1200MT4，此方案耐压值高达1200V,同时漏极平均电流值高达115A；详细评估资料如下：https://www.sekorm.com/doc/3238465.html。
三相光伏逆变器项目上找一款SIC MOS：1200V 17mo TO-247-4L，国产有高性价比方案推荐吗？
推荐爱仕特，ASC100N1200MT4，规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/3238465.html。ASC100N1200MT4的导通电阻较小时，整体的电路损耗会比较小，散热也会减小，再加上SiC的高频特性，会使产品有较高的工作频率，设备的转化效率会提高，同步会减小电感设计值，降低电感设计成本。
某用户在光伏储能项目中，想用SiC mos 做功率器件，母线电压在800V，有没有合适推荐的方案？
推荐爱仕特的ASC100N1200MT4 ， 它的耐压1200V 并且具备低导通电阻， 当MOS的导通电阻较小时，整体的电路损耗会比较小，散热也会减小，再加上SiC的高频特性，会使产品有较高的工作频率，设备的转化效率会提高。
医用3KWDCD 电源模块上使用，需要一颗sic mos，请问有没有1200V 80A以上的TO-247-7封装的国产推荐？
推荐爱仕特的ASC100N1200MT4 满足用户要求 规格书https://www.sekorm.com/product/773802.html
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提供蓝牙BLE芯片协议、蓝牙模块、蓝牙成品测试认证服务；测试内容分Host主机层，Controller控制器层，Profile应用层测试。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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