【产品】反向电压可到达800V的超快速恢复硅整流器CUDD16-XX,trr最短仅为25ns
Central Semi公司是世界顶级分立半导体制造商,公司总部位于美国纽约,成立于1974年,迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证,生产的元器件符合RoHS2和REACH要求,力求为客户提供高品质高可靠性产品;与顶级OEM设计师合作,提供创新解决方案。产品可提供多种包装形式的裸片方式出货,还可定制参数,定制封装,不停产,能够满足不同用户的各类需求。
Central Semi推出超快恢复硅整流器CUDD16-02C,CUDD16-04C,CUDD16-08C,采用D2PAK封装方式封装,从而拥有较大的反向峰值电压及浪涌电流,专为需要低正向压降的表面贴装超快速开关应用而设计。CUDD16-02C,CUDD16-04C,CUDD16-08C峰值重复反向电压为200/400/800V,RMS反向电压VR(RMS)为140/280/560V,峰值正向浪涌电流IFSM(tp=8.3ms)为125A,有着极强的抗浪涌能力,拥有很高的稳定性。平均正向电流(TC=100°C)IO为16A,可使其较为灵活的配置电流。操作和存储结温TJ,Tstg为-65至+150°C,能够适应较为恶劣的工业环境,满足大部分环境上的需求,保证器件稳定性。典型热阻ΘJC为3.0°C/W,能量消耗较低。
CUDD16-02C,CUDD16-04C,CUDD16-08C的漏电流在VR=VRRM时,最大值分别为5.0/10/10μA,能够较好的保护敏感设备。反向电压在反向电流IF=8.0A时最大值为0.975/1.3/1.5V,结电容分别为80/80/50pF。具有超快的反向恢复时间,trr最短仅为25ns。
图1 CUDD16-02C,CUDD16-04C,CUDD16-08C示意图
图2 CUDD16-02C,CUDD16-04C,CUDD16-08C轮廓和产品尺寸图
图3 CUDD16-02C,CUDD16-04C,CUDD16-08C引脚配置图
CUDD16-02C,CUDD16-04C,CUDD16-08C主要特性
•高反向电压:VRRM为200/400/800V
•高浪涌电流能力:tp=8.3ms时IFSM为125A
•高可靠性:操作和存储结温TJ,Tstg为-65至+150°C;阻燃性符合UL 94V-O
•结壳热阻ΘJC为3.0°C/W
•超快恢复时间:trr最短为25ns
•最大结电容为80pF
CUDD16-02C,CUDD16-04C,CUDD16-08C主要运用领域
•超快速开关运用
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RECOVERY SILICON RECTIFIERS
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