【产品】小尺寸LGA封装的双轴TMR角度传感器TMR3001,采用独特的推挽式惠斯通电桥结构设计
通常,在角度传感器的应用场合下,在多维科技双轴TMR角度传感器TMR3001上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场,芯片的双轴输出与磁场角度成正弦和余弦关系的电压信号。TMR3001采用两个独特的推挽式惠斯通电桥结构设计,每个惠斯通电桥包含四个高灵敏度TMR传感元件,使得其输出信号的峰峰值可达工作电压的90%,从而省去了许多应用中所需要的外部信号放大处理电路。此外,独特的TMR惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。TMR3001性能优越,采用超小型LGA8封装形式,尺寸仅为3.0mm×3.0mm×0.9mm。
产品特性:
隧道磁电阻(TMR)技术
大输出信号,无需信号放大
双轴360°全范围角度测量
宽工作电压范围
高速响应
允许较大的测量间隙
优越的温度稳定性
小尺寸LGA封装
典型应用:
旋转位置传感器
旋转编码器
非接触式电位器
阀门位置传感器
旋钮传感器
引脚定义及功能框图:
极限参数:
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产品型号
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品类
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兼容型号
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类型
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供电电压(V)
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功耗(nA、μA、mA)
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工作模式
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敏感方向
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B_op(Gs,25°C)(Gs)
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B_rp(Gs,25°C)(Gs)
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输出接口
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封装形式
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TMR1102
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TMR磁开关传感器芯片
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—
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单极
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1.8~5.5 V
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1.5μA
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连续供电
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X轴
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17
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13
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CMOS
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SOT23-3
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选型表 - 多维科技 立即选型
TMR3004高磁场双轴TMR角度传感器
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多维科技的TMR3005采用两个独特的推挽式惠斯通电桥结构设计,每个惠斯通电桥包含四个高灵敏度TMR传感元件,使得其输出信号的最佳峰值可达工作电压的65%,从而省去了许多应用中所需要的外部信号放大处理电路。此外,独特的TMR惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。TMR3005性能优越,采用更小型LGA8封装形式,尺寸仅为3.0mm×3.0mm×0.9mm。
MDT——TMR磁传感器的领先供应商
MDT(MultiDimension Technology Co., Ltd.)是一家成立于2010年的中国公司,专注于TMR磁性传感器的研发和生产。公司拥有独特的知识产权和先进的制造能力,能够满足高性能、低成本TMR磁性传感器的批量生产需求。MDT提供包括平面和Z轴TMR传感器、定制设计、ASIC设计、晶圆代工、定制传感器模块设计和应用解决方案等服务。其产品广泛应用于流量计、接近开关、水平传感器、电流传感器、磁场传感器、位置传感器、旋转编码器、电位计、齿轮速度传感器、速度传感器、钞票验证、ATM和自动售货机等领域。MDT还提供专利许可,使客户能够在其产品中使用其技术。
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服务
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可定制内充多极外充多极,平面多极和内外螺旋型各类充磁产品,多级充磁最多可做256极,通过环氧树脂加入稀土,模具压制支持多尺寸定制,
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