【产品】漏源电压1200V的SiC MOSFET IV1Q12017T4G，可用于高压DC/DC变换器
瞻芯电子推出的SiC MOSFET IV1Q12017T4G，漏源电压 1200V，导通电阻典型值为17mΩ。推荐使用的开通栅源电压 20±0.5 V，具有高工作结温特性，工作结温范围 -55~ 175 °C，能够用于高压DC/DC变换器，开关电源等方面。
图 1 IV1Q12017T4G封装
特点
⚫ 高压、低导通电阻
⚫ 高速、寄生电容小
⚫ 高工作结温
⚫ 快速恢复体二极管
⚫ 开尔文连接驱动
电气特性
表 1 最大额定值 （TC =25 °C ，特殊说明除外）
表 2
应用
⚫ 光伏逆变器
⚫ 电机驱动
⚫ 高压 DC/DC 变换器
⚫ 开关电源
封装尺寸
图 2 封装参数
说明：
1. 封装标准参考：JEDEC TO247, Variation AD
2. 以上单位为：毫米
3. 需要开槽，槽口可为圆形
4. 尺寸D和E不包括摸具溢料
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瞻芯电子SiC MOSFET选型表
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产品型号
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品类
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Qualification
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VDS（V）
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RDS(ON) （mΩ）
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ID（TC=25°C）（A）
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VTH（ TJ =25°C）（V）
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VTH（ TJ =175°C）（V）
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Qg（nC）
|
Operating Junction Temperature（°C）
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Package
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IV2Q06025T4Z
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SiC MOSFET
|
汽车级
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650V
|
25mΩ
|
99A
|
2.8V
|
2.0V
|
125.0nC
|
-55°C to 175°C
|
TO247-4
|
IV2Q171R0D7Z–1700V 1000mΩSiC MOSFET
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