派恩杰携50余款达国际一流水平的国产SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT及应用DEMO即将亮相PCIM展

时间： 2021-09-03 来源：派恩杰

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据2021深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（PCIM展）主办方公布的信息，第三代半导体设计和方案商派恩杰半导体已确定参展，展位号E43。

成立于2018年9月的派恩杰半导体，目前已是国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。2019年3月，派恩杰成立仅6个月即发布了第一款可兼容驱动650V GaN功率器件。同年8月完成Gen3技术的1200V SiC MOS，填补了国内空白。2020年先后发布用于5G数据中心、服务器与工业辅助电源的650V、1700V工业级MOS以及用于车载充电机的650V车规级MOS。2021年2月发布1200V大电流车规级MOS，应用于电动汽车电驱单管及模块。经第三方机构&全球一线客户实机测试验证，其SiC SBD具备高浪涌电流耐量和更低的VF，保证安全性能同时降低损耗，其SiC MOS HDFM 值优于行业水平50%以上，具备更小的损耗，更优的综合性能。

此次PCIM展，派恩杰将携50余款650V/1200V/1700V SiC SBD&SiC MOS、650V GaN HEMT功率器件亮相。同时将会向现场观众展示其最新的高压工业辅助电源、SiC MOSFET动态性能评估板、SiC MOSFET Buck评估板、SiC MOSFET Boost评估板、Totem-Pole PFC DEMO等。目前，这些产品在海内外都已经被一些一线客户导入使用。

派恩杰半导体

成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商，国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。成立三年已经发布了50余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT功率器件，产品已达国际一流水平，广泛用于大数据中心、超级计算与区块链、5G通信基站、新能源汽车/储能/充电桩、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压、航空航天、工业特种电源、UPS、电机驱动等领域。

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全部评论（1）

豆芽 Lv8. 研究员 2023-05-25

学习

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