派恩杰携50余款达国际一流水平的国产SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT及应用DEMO即将亮相PCIM展
据2021深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（PCIM展）主办方公布的信息，第三代半导体设计和方案商派恩杰半导体已确定参展，展位号E43。
成立于2018年9月的派恩杰半导体，目前已是国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。2019年3月，派恩杰成立仅6个月即发布了第一款可兼容驱动650V GaN功率器件。同年8月完成Gen3技术的1200V SiC MOS，填补了国内空白。2020年先后发布用于5G数据中心、服务器与工业辅助电源的650V、1700V工业级MOS以及用于车载充电机的650V车规级MOS。2021年2月发布1200V大电流车规级MOS，应用于电动汽车电驱单管及模块。经第三方机构&全球一线客户实机测试验证， 其SiC SBD具备高浪涌电流耐量和更低的VF，保证安全性能同时降低损耗，其SiC MOS HDFM 值优于行业水平50%以上，具备更小的损耗，更优的综合性能。
此次PCIM展，派恩杰将携50余款650V/1200V/1700V SiC SBD&SiC MOS、650V GaN HEMT功率器件亮相。同时将会向现场观众展示其最新的高压工业辅助电源、SiC MOSFET动态性能评估板、SiC MOSFET Buck评估板、SiC MOSFET Boost评估板、Totem-Pole PFC DEMO等。目前，这些产品在海内外都已经被一些一线客户导入使用。
派恩杰半导体
成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商，国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。成立三年已经发布了50余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT功率器件，产品已达国际一流水平，广泛用于大数据中心、超级计算与区块链、5G通信基站、新能源汽车/储能/充电桩、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压、航空航天、工业特种电源、UPS、电机驱动等领域。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由三年不鸣转载自派恩杰，原文标题为:50余款达国际一流水平的国产SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT及应用DEMO即将亮相PCIM展，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
派恩杰研发出全球Qgd*Rds(on)最小的SiC MOS，获2021年金翎奖车规级功率器件年度创新技术产品奖
2021年11月4-5日举办的2021中国国际车规级功率半导体年会为车企和芯片企业搭起了一座沟通的桥梁。派恩杰半导体有限公司被授予2021年金翎奖-车规级功率器件器件年度创新技术产品奖。
新能源OBC放量，派恩杰SiC MOSFET凭世界领先性能率先上车
在新能源汽车中，OBC技术的进步与用户充电体验有着非常大的关系。随着电动汽车的市场扩大和储能市场的兴起，对OBC在性能上提出了更高的要求。派恩杰采用自己的芯片，对芯片在工业和汽车上的应用积累了大量的数据，推出SiC MOS，可以给客户提供最优的解决方案。
聚能创芯专注GaN功率器件产品和技术解决方案，可广泛应用于快充、无线充电、数据中心等领域
聚能创芯公司可自主进行GaN器件设计，掌握物理建模、TCAD模拟、SPICE模拟与版图设计技术。致力于整合业界优势资源，打造GaN器件开发与应用生态系统，广泛用于快充、无线充电、数据中心、5G基站、航空航天、光伏逆变器等目标领域。
派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
派恩杰 - SIC SBD,碳化硅肖特基二极管,SIC场效应晶体管,SIC SBD,碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,SIC备用电池,P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4
【产品】650V/97A的SiC MOS助力低压治理，导通内阻低至25mΩ，提高频率同时减小磁性元件体积
本文推荐派恩杰P3M06025K4，是一款650V/97A的SiC MOS，相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率同时减小磁性元件体积从而实现更高功率密度。系统母线电压600V左右，选用650V的SiC MOS满足系统需求且留有余量。
P3D06002E2 SiC SBD 650V SiC肖特基二极管
该资料详细介绍了PNJ公司生产的650V SiC肖特基二极管P3D06002E2的产品特性、电气特性、热特性、典型性能和封装信息。该二极管适用于高频率操作，具有超快速开关、零反向恢复电流和高浪涌电流等特点，适用于消费级SMPS、PFC或DC/DC阶段中的升压二极管和AC/DC转换器。
派恩杰 - SIC SBD,SIC肖特基二极管,SIC SCHOTTKY DIODE,SIC备用电池,P3D06002E2,CONSUMER SMPS,BOOST DIODES,AC/DC CONVERTERS,交直流变换器,升压二极管,消费型SMPS
P3D06020I2 650V碳化硅SBD
该资料介绍了PNJ半导体公司生产的650V碳化硅肖特基二极管P3D06020I2。该器件具有超快速开关、零反向恢复电流和高频操作等特点，适用于各种电源转换应用。
派恩杰 - SIC SBD,SIC肖特基二极管,SIC SCHOTTKY DIODE,SIC备用电池,P3D06020I2,CONSUMER SMPS,BOOST DIODES IN PFC OR DC/DC STAGES,AC/DC CONVERTERS,PFC或DC/DC级升压二极管,交直流变换器,消费型SMPS
P3D060006T2 650V碳化硅SBD
该资料介绍了PNJ半导体公司生产的650V碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）P3D06006T2。该器件具有高耐压、快速开关特性，适用于提高系统效率、减少散热器需求和高频操作。
派恩杰 - SIC SBD,SIC肖特基二极管,SIC SCHOTTKY DIODE,SIC备用电池,P3D06006T2,CONSUMER SMPS,BOOST DIODES,AC/DC CONVERTERS,交直流变换器,升压二极管,消费型SMPS
【元件】蓉矽1200V 40mΩ SiC MOS NC1M120C40HT通过AEC-Q101车规级测试，最大可持续电流达75A
蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。采用1200V SiC器件会简化系统拓扑复杂度，总损耗可降低50%以上，磁性器件体积可降低70%以上。整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上。
P3D06010I2 650V碳化硅SBD
本资料介绍了PNJ半导体公司生产的650V碳化硅肖特基二极管P3D06010I2。该器件具有超快速开关、零反向恢复电流和高频操作等特点，适用于各种电源转换应用。
派恩杰 - SIC SBD,SIC肖特基二极管,SIC SCHOTTKY DIODE,SIC备用电池,P3D06010I2,CONSUMER SMPS,BOOST DIODES IN PFC OR DC/DC STAGES,AC/DC CONVERTERS,PFC或DC/DC级升压二极管,交直流变换器,消费型SMPS
P3D12020K2 1200V SiC SBD SiC肖特基二极管
本资料介绍了PNJ半导体公司的P3D12020K2型号1200V碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）。该器件具有高频率操作能力、零反向恢复电流和高浪涌电流等特点，适用于消费级开关电源模块（SMPS）、功率因数校正（PFC）或直流/直流转换器等应用。
派恩杰 - SIC SBD,SIC肖特基二极管,SIC SCHOTTKY DIODE,SIC备用电池,P3D12020K2,CONSUMER SMPS,BOOST DIODES,AC/DC CONVERTERS,交直流变换器,升压二极管,消费型SMPS
P3D060006I2 650V碳化硅SBD
本资料介绍了PNJ半导体公司生产的650V碳化硅肖特基二极管P3D06006I2。该器件具有超快速开关、零反向恢复电流和高频操作等特点，适用于消费级电源管理电路。
派恩杰 - SIC SBD,SIC肖特基二极管,SIC SCHOTTKY DIODE,SIC备用电池,P3D06006I2,CONSUMER SMPS,AC/DC CONVERTERS,交直流变换器,消费型SMPS
SiC SBD P3D06040K3 650V SiC肖特基二极管
该资料介绍了PNJ半导体公司的650V碳化硅肖特基二极管P3D06040K3。它具有超快速开关、零反向恢复电流和高频操作等特点，适用于消费级SMPS、PFC或DC/DC阶段中的升压二极管以及AC/DC转换器。
派恩杰 - SIC SBD,BOOST DIODES,SIC肖特基二极管,SIC SCHOTTKY DIODE,SIC备用电池,升压二极管,P3D06040K3,CONSUMER SMPS,AC/DC CONVERTERS,交直流变换器,消费型SMPS
P3D06006E2 650V SiC SBD
本资料介绍了PNJ半导体公司生产的650V碳化硅肖特基二极管P3D06006E2。该器件具有超快速开关、零反向恢复电流、高频操作等特点，适用于消费级电源管理、功率因数校正（PFC）和直流/直流转换器等领域。
派恩杰 - SIC SBD,SIC肖特基二极管,SIC SCHOTTKY DIODE,SIC备用电池,P3D06006E2,CONSUMER SMPS,AC/DC CONVERTERS,交直流变换器,消费型SMPS
P3D06006G2 650V SiC SBD
本资料介绍了PNJ半导体公司生产的650V碳化硅肖特基二极管P3D06006G2。该器件具有超快速开关、零反向恢复电流和高频操作等特点，适用于消费级电源管理应用。
派恩杰 - SIC SBD,SIC肖特基二极管,SIC SCHOTTKY DIODE,SIC备用电池,P3D06006G2,CONSUMER SMPS,AC/DC CONVERTERS,交直流变换器,消费型SMPS
电子商城
现货市场
服务
可定制ATA TE Cooler的冷却功率范围：35~800W；控温精度：≦±0.1℃；尺寸：冷面：20*20到500*300；热面：60*60到540*400 （长*宽；单位mm）。
最小起订量： 1 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论