【产品】上升7ns/下降4ns超快开关速度H桥IGBT功率模块

时间： 2018-06-17 来源：VINCOTECH

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IGBT功率模块,H桥IGBT功率模块,10-PZ07BIA030SM02-P894E58Y,10-FZ07BIA030SM02-P894E58

全球领先的电力电子模块（IGBT模块）解决方案的供应商VINCOTECH（威科）推出的10-PZ07BIA030SM02-P894E58Y、10-FZ07BIA030SM02-P894E58系列H桥IGBT功率模块，是采用flow 0 12mm的封装设计的IGBT器件，具有超低离散电感，高工作效率等突出优势，是开关电源类设计、太阳能逆变器、UPS等应用的理想选择。

Vincotech 10-PZ07BIA030SM02-P894E58Y、10-FZ07BIA030SM02-P894E58系列H桥IGBT功率模块采用了具有成本效益的H桥拓扑结构，IGBT器件和续流二极管被封装在坚固的外壳中，并结合内部集成的热敏电阻，实时地对封闭模块进行温度监测，避免温度过高对系统造成永久性的损坏。由于采用了flow 0 12mm的封装设计，封装尺寸66mm X 33mm，有效减少了设计面积，节省PCB空间。此外，此类封装比同类产品离散电感更低，降低了不必要的功率损失（热损耗），能量利用率更高。

从参数上来看，Vincotech 10-PZ07BIA030SM02-P894E58Y、10-FZ07BIA030SM02-P894E58系列IGBT功率模块工作电压650V，直流隔离电压4000V（tp=2s），满足大功率隔离设计，同时有效的抑制输入谐波。其工作温度为-40~125℃（Tjmax-25℃，Tjmax取决于模块中结温最低的器件），符合军品级器件温度要求，可应用在多种苛刻的温度环境中。在IGBT的开关特性上，25℃时，其上升时间和下降时间的典型值分别为7ns和4ns，具有超快速切换速率，出色的换流响应，高速的工作频率使该器件可以灵活的应用到更多的设计中。

如图3所示，D1~D4二极管，25℃时，反向漏电流仅为5uA，反向损耗低，恢复时间短，在保证续流的同时降低了与其换流器件的额外功耗，保证了产品效率和可靠性。

图1 Vincotech 10-PZ07BIA030SM02-P894E58Y、10-FZ07BIA030SM02-P894E58系列H桥IGBT功率模块外形图

图2 Vincotech 10-PZ07BIA030SM02-P894E58Y、10-FZ07BIA030SM02-P894E58系列H桥IGBT功率模块尺寸图

图3 10-PZ07BIA030SM02-P894E58Y、10-FZ07BIA030SM02-P894E58系列H桥IGBT功率模块功率模块的原理图

Vincotech 10-PZ07BIA030SM02-P894E58Y、10-FZ07BIA030SM02-P894E58系列H桥IGBT功率模块突出特点与优势：

·高效率

·超快速切换频率

·低电感的设计

·IGBT H5+在升压桥和H桥中的超快硅二极管

Vincotech 10-PZ07BIA030SM02-P894E58Y、10-FZ07BIA030SM02-P894E58系列H桥IGBT功率模块应用领域：

·太阳能逆变器

·开关电源

·电机驱动

·不间断电源（UPS）

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产品型号	品类	SUB-TOPOLOGY	PRODUCT LINE	VOLTAGEIN（V）	CURRENTIN(A)	MAIN CHIP TECHNOLOGY	HOUSING FAMILY	HEIGHTIN（mm）	ISOLATION
V23990-K429-A40-PM	IGBT功率模块	CIB-KE-NTC	MiniSKiiP® PIM 3	1200	75	IGBT4	MiniSKiiP® 3	16	Al2O3

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VINCOTECH功率模块选型表

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产品型号	品类	产品状态	拓扑	电压(V)	电流(A)	模块高度 (mm)	晶圆工艺	封装
10-0B06PPA004RC-L022A09	SiC功率模块	Series production	PIM+PFC(CIP)	600V	4A	17mm	IGBT RC	flow 0B

选型表 - VINCOTECH 立即选型

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