【产品】锐骏半导体推出N沟道增强型功率MOSFET RU3080L，适合DC-DC转换器应用

时间： 2022-04-04 来源：锐骏半导体

技术问答

RU3080L是锐骏半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET，封装为TO-252，10V栅极驱动电压的时候，导通电阻仅2.6mΩ，环保无铅封装，主要应用于DC-DC转换器中。

产品特点

额定电压/电流：30V/90A

R_DS(ON)=2.6mΩ（典型值），在V_GS=10V时

超高密度单元设计

超低导通电阻

100%雪崩测试

环保无铅（符合Rohs认证）

典型应用

DC-DC转换器

订购信息

极限参数

*1：根据最大允许结温计算出的持续电流,该封装类型最大电流限制为60A 。

*2：脉冲宽度限制在安全工作区。

*3：受TJmax限制，测试条件： IAS=34A, VDD=24V, RG=50Ω, 从 TJ= 25°C开始。

电气参数 T_C=25℃（除非有特殊说明）

*4：脉冲要求：脉冲宽度不大于300us，占空比不大于2%。

*5：由设计保证，无需进行生产测试。

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产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
RU207C	MOSFET	N	N	20	0.5-1.1	6	10	15	SOT23-3