【产品】ROHM N沟道功率MOSFET RS6R060BH，具有低导通电阻，适合于开关类应用
RS6R060BH是ROHM推出的一款低导通电阻的N沟道功率MOSFET，最大静态漏源导通电阻为21.8mΩ（@VGS=10V，ID=60A），大大降低了导通损耗。该功率MOSFET的漏源电压最大值为150V，连续漏极电流（VGS=10V）最大值为±60A（*1），单脉冲雪崩电流为29A（*3），单脉冲雪崩能量为33mJ（*3），可有效抑制雪崩效应，功耗最大为104W（*1），适合于开关类应用。
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图1 产品外形
产品特性：
1) 低导通电阻
2）高功率封装（HSOP8）
3) 无铅电镀，符合RoHS标准
4) 无卤素
5) 经过100% Rg和UIS测试
应用领域：
• 开关
绝对最大额定值（Ta=25°C，除非另有说明）
注释：
*1 Tc=25℃，仅受允许的最高温度限制
*2 Pw≤10μs，占空比≤1%
*3 L⋍0.05mH, VDD=75V, RG=25Ω, 开始于Tj=25℃
*4 安装在铜板上（40×40×0.8mm）
*5 脉冲
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