【产品】ROHM N沟道功率MOSFET RS6R060BH，具有低导通电阻，适合于开关类应用

时间： 2022-08-05 来源：ROHM

代理服务

技术支持

批量订货

RS6R060BH是ROHM推出的一款低导通电阻的N沟道功率MOSFET，最大静态漏源导通电阻为21.8mΩ（@V_GS=10V，I_D=60A），大大降低了导通损耗。该功率MOSFET的漏源电压最大值为150V，连续漏极电流（V_GS=10V）最大值为±60A^（^*1^），单脉冲雪崩电流为29A^（^*3^），单脉冲雪崩能量为33mJ^（^*3^），可有效抑制雪崩效应，功耗最大为104W^（^*1^），适合于开关类应用。

图1 产品外形

产品特性：

1) 低导通电阻

2）高功率封装（HSOP8）

3) 无铅电镀，符合RoHS标准

4) 无卤素

5) 经过100% Rg和UIS测试

应用领域：

• 开关

绝对最大额定值（T_a=25°C，除非另有说明）

注释：

*1 T_c=25℃，仅受允许的最高温度限制

*2 Pw≤10μs，占空比≤1%

*3 L⋍0.05mH, V_DD=75V, R_G=25Ω, 开始于T_j=25℃

*4 安装在铜板上（40×40×0.8mm）

*5 脉冲

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由tl翻译自ROHM，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【元件】罗姆实现650V高耐压、低导通电阻、高速开关的超级结MOSFET R65xxKNX3系列

ROHM此次新开发的是“R65xxKNX3系列”，是650V耐压的超级结MOSFET。封装形式采用的是功率MOSFET的标准封装TO-220AB。TO-220AB封装因为载有芯片的金属焊盘（散热片）裸露在封装背面而具有出色的散热性能，因此适用于大功率电源应用（例如发热量较大的服务器电源）。

2024-09-28 - 产品代理服务技术支持批量订货

【产品】支持40V耐压的Nch + Pch双MOSFET QH8MB5，有助于降低设备的功耗

ROHM推出的QH8MB5作为一款支持40V耐压的Nch + Pch双MOSFET，是为工厂自动化设备等24V输入设备和安装在基站（冷却风扇）上的电机而设计的。它将具有超低导通电阻Nch / PchMOSFET集成在一个封装里面。

2022-05-02 - 产品代理服务技术支持批量订货

【产品】导通电阻最大值为55mΩ的N沟道功率MOSFET RCJ451N20 ，适用于开关应用

ROHM旗下的N沟道功率MOSFET-RCJ451N20 ，漏源电压为200V，导通电阻最大值为55mΩ，持续漏极电流为±45A（Tc=25℃），耗散功率（Tc=25℃）为211W。采用TO-263S封装形式，可用于开关应用。

2022-04-14 - 产品代理服务技术支持批量订货

【经验】绝缘型反激式转换器的性能评估和检查要点之MOSFET的VDS和IDS、输出整流二极管的耐压

本文将说明使用ROHM开关电源用控制IC BM1P061FJ设计的绝缘型反激式转换器的性能评估和检查要点。主要包括：MOSFET的漏极电压和电流及输出整流二极管的耐压、变压器的饱和、Vcc电压、输出瞬态响应和输出电压上升波形、温度测量和损耗测量等。・电解电容器

2020-01-23 - 设计经验代理服务技术支持批量订货

ROHM（罗姆）SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（英文）

目录- SiC MOSFETs

型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KE,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT2280KE,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4036KW7HR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT3105KL,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR

2022/8/3 - ROHM - 选型指南 - Edition 2022 代理服务技术支持批量订货

SiC MOSFET损耗计算方法：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法

本文ROHM将介绍根据在上一篇文章（《SiC MOSFET损耗计算方法：开关波形的测量方法》）中测得的开关波形，使用线性近似法来计算功率损耗的方法。

2024-05-25 - 技术探讨代理服务技术支持批量订货

瑶芯微技术分享 | MOSFET开关过程详解

由于MOSFET是电压型器件，当驱动电压Vgs大于Vth电压就可以开通，开通就是给寄生电容充电的过程，同理，关断就是寄生电容的放电过程。本文瑶芯微介绍MOSFET开关过程。

2024-06-30 - 技术探讨代理服务技术支持批量订货

AM50N06A MOSFET 60V 50A N沟道快速开关MOSFET

描述- AM50N06A是一款60V 50A N-CH快速开关MOSFET，采用TO-252封装。该产品具有超低栅极电荷、优异的CdV/dt效应下降和先进的高细胞密度沟槽技术，适用于各种高速开关应用。

型号- AM50N06A,AM50N06ADR,AM50N06ADVR

JUL 2024 - AIT - 数据手册 - REV1.0 代理服务技术支持批量订货

SiC MOSFET损耗计算方法：开关波形的测量方法

关于根据开关波形计算功率损耗的方法，本文中ROHM将为大家介绍SiC MOSFET开关波形的测量方法。近年来，一些示波器已经具备可以自动计算并显示所观测波形的功率损耗的功能，但如果没有该功能，就需要通过测得的波形来计算损耗了。为此，需要了解具体的测量方法和波形。

2024-05-11 - 技术探讨代理服务技术支持批量订货

小信号分立器件长销产品开关二极管/肖特基势垒二极管/齐纳二极管/双极晶体管/数字晶体管/MOSFET

描述- ROHM公司的小信号分立器件长销产品，包括开关二极管、肖特基势垒二极管、齐纳二极管、双极晶体管、数字晶体管和MOSFET等，累计出货量超过600亿个，供货业绩业界领先。产品具有量产超过5年、稳定的生产和供应、完善的BCM体系等特点，适用于工业设备等生命周期较长的应用。ROHM通过持续投资生产设备和改进生产技术，确保高品质、高效率的生产，并建立了多个生产基地，以垂直整合战略为主，同时结合外部委托生产，可对冲各种风险。

型号- DTC144EU3,DTC123JU3,DTA1XXXU3系列,1SS400SM,DTC1XXXU3系列,DTC114TU3,DTA114EU3,UDZV10B,1SS355VM,DTA143EU3,DTC1XXXU3,DTA124EU3,DTA114YU3,DTA1XXXU3,DTC124EU3,UDZV,2SC4081U3,DTC143TU3,2SA1576U3,EDZV,EDZV10B,DTA113ZU3,DTA123JU3,DTC143XU3,RB521SM-30,DTC143ZU3,DTA143ZU3,DTA114TU3,UDZV系列,DTA143TU3,DTA124XU3,DTC123EU3,DTC114YU3,DTA143XU3,DTC123YU3,DTA115EU3,RB520SM-30,RB521SM-40,DTC114EU3,RB521SM-XX,RUM002N02,DTC114GU3,RSM002N06,EDZV系列,DTC113ZU3,DTC143EU3,DTA123YU3,RB520SM-XX,RB520SM-40,DTA123EU3,DTC115GU3,DTA144EU3,DTC115EU3,DTC124XU3

10.2023 - ROHM - 商品及供应商介绍代理服务技术支持批量订货