【应用】国产N沟道碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3应用于太阳能逆变器，导通电阻低，漏源电压为1200V
某客户在设计一款10KW的太阳能逆变器，要求功率因数做到0.99，并网运行下DC/AC最高转换效率要求95%，离网运行下DC到AC最高转换效率要求93%。在该项目中需求一款N沟道碳化硅MOSFET，应用于DC-DC升压电路。规格要求：电压/电流：1200V/60A，内阻45mo，封装：TO247-3。本文推荐爱仕特产N沟道碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3。
图一是ASC60N1200MT3应用于太阳能逆变器的典型应用框路：
图一 ASC60N1200MT3应用于太阳能逆变器的典型应用框路
上图是太阳能逆变器功率转换单元电路。该电路主要由光伏板、DC/DC升压电路、DC-AC转换电路和防雷电路组成。
爱仕特N沟道碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3封装图：
爱仕特N沟道碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3应用于太阳能逆变器的优势有以下几点：
1、ASC60N1200MT3绝对最大额定值（Tc=25℃）方面，其漏源电压为1200V，Tc=25°C时的漏极电流（连续）为60A，漏极电流（脉冲）高达100A，耗散功率（Tc=25℃）为325。
2、ASC60N1200MT3在TJ=25℃条件下，其静态漏源导通电阻的典型值仅为45mΩ（VGS=20V，ID=20A）。该器件可用于电动汽车电机驱动、高压DC/DC转换器、开关模式电源、太阳能逆变器、电动汽车充电领域。
3、ASC60N1200MT3其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，也确保了该产品具有低电容和栅极电荷；ASC60N1200MT3易于并联，驱动简单，符合ROHS标准，无卤素。
4、世强常备库存，性价比相对国外其他品牌更有优势。
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产品型号
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品类
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Package
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Voltage（V）
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RON(mohm)
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Temperature Range(℃)
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Status
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ASC8N650MT3
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SiC Chips
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TO-247-3
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650V
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320mohm
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-40~175℃
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Development
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实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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