【元件】采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术的SGT-MOSFET系列产品，具有低导通损耗的特点

时间： 2022-10-26 来源：MDD辰达半导体公众号

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辰达行新推出SGT-MOSFET产品，采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术，具有低导通损耗的特点，产品涵盖30V~150V。

MDDG06R03G低RDS（ON）&FOM极低的开关损耗

MDDG10R20D卓越的可靠性和一致性快速开关和软恢复

SGT-MOSFET系列核心特点

· 采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术

· 低导通损耗：内阻（Rdson）小

· 产品涵盖30V~150V

SGT-MOSFET系列电气特性图

SGT-MOSFET系列应用

SGT系列MOSFET产品采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻Rsp和栅极电荷Qg。SGT系列MOSFET产品涵盖30V~150V，随着电动汽车，无刷电机和锂电池的兴起，SGT MOSFET作为中压MOSFET的代表，被作为开关器件广泛应用于电机驱动系统，逆变器系统及电源管理系统，是核心功率控制部件。其中SGT MOSFET的三大优势：1.提升功率密度，2.极低的开关损耗，3.更好的EMI优势。可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。

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棒棒猫 Lv6. 高级专家 2022-12-06

学习
WilberTse Lv6. 高级专家 2022-10-31

学习学习！

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