【应用】派恩杰N沟道增强型SIC MOS模块P3M06040K3用于储能电源设计，达到车规级标准
储能电源系统是指采用多种多样的能源分配和供应，从而使得能源更加有效的得到利用；提高功率密度效率一直是研发人员面临的重大的问题，提升频率是一种途径，但提升频率对于硬开关电路又增加了开关损耗；故需要软开关电路，采用谐振变换器（LLC）的设计，减少开关损耗，同时降低开关应力，LCC的设计中需要用到八颗MOS管搭建成两个整流电桥，将交流电变成直流电。许多研发人员以前使用的基本都是非SIC的MOS，如今SIC MOS的普及，研发人员广泛都更换成SIC MOS方案。此类应用中，SIC MOS推荐使用派恩杰的P3M06040K3，高阻断电压，低导通电阻为储能电源电路的设计提供了安全性，超小型封装，使得研发人员可更加灵活地设计电路板。
P3M06040K3应用于储能电源上的特点：
（1） 阻抗低：SIC MOS要比一般的硅MOS阻抗要低，不需要对其进行电导率的调制就可以实现高耐压和低阻抗；
（2） 减少开关损耗；研发人员用SIC MOS 替代IGBT时，很明显就可以减少开关的损耗，并且可以实现散热部件的小型化；
（3） 超小型封装：实现小封装的需求，并且SIC MOS的体二极管恢复损耗非常小；
（4） 低导通电阻：SIC具有超强的绝缘击穿场强能力，可以在低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压，因此具有更低的导通电阻的能力；
P3M06040K3的应用：
（1） 太阳能逆变器
（2） 电源开关
（3） 电源储能
（4） 高压DCDC转换器
（5） 电动汽车电池充电器
综上所述，采用派恩杰的SIC MOS应用于储能电源上不仅可以降低成本，减少PCB板子的体积，而且符合车规级的规格，性能上更加有保障。
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
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Max Junction Temperature(℃)
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P3M06025K3
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碳化硅场效应管
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650V
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TO247-3
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25mΩ
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97A
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34.7nC
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297pF
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175℃
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选型表 - 派恩杰 立即选型
P3M06040K3 N沟道增强型SiC MOS
描述- 该资料详细介绍了PNJ半导体公司的P3M06040K3型号SiC MOSFET器件。文档涵盖了最大额定值、电气特性、反向二极管特性、热特性、典型性能、定义和封装轮廓等内容。
型号- P3M06040K3
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【选型】碳化硅场效应管P3M06040K3用于汽车单体DC-DC项目，漏极平均电流值高达68A
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型号- P3M06040K3
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型号- P3M12080K4,PNDM12P242A1_M,P3M12080K3,P3M06040K4,P3M06040K3,PNDM12P242A1_D1,PNDM12P242A1_D2,PNDM12P242A1
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SiC MOS P3M06040K3 N沟道增强模式
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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