【产品】通过100%雪崩测试的的N沟道功率MOSFET RU7N65P，反向传输电容低至16pF

时间： 2022-03-06 来源：锐骏半导体

技术问答

锐骏半导体推出了一款通过100%雪崩测试的N沟道功率MOSFET——RU7N65P，该器件无铅且绿色环保，符合RoHS标准，其反向传输电容C_rss低至16pF（V_GS=0V，V_DS=300V，频率为1.0MHz的条件下），总栅极电荷Q_g更是低至30nC（V_DS=520V, V_GS=10V，I_DS=7A的条件下），漏源电压V_DSS为650V，二极管连续正向电流I_S为7A，静态漏源导通电阻R_DS(ON)典型值为1000mΩ（V_GS=10V条件下），低导通电阻有效地降低了开关损耗，应用范围广泛，例如开关电源（SMPS）中的AC/DC功率转换、适配器和PWM电机控制。

RU7N65P在T_C为25℃测试条件下，它的连续漏极电流I_D最大值为7A（V_GS=10V），最大耗散功率P_D仅为36W，结到外壳的热阻R_θJC最大为3.5℃/W，结到环境的热阻R_θJA最大为62.5℃/W，存储温度范围在-55℃~+150℃之间，具有较强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境。

RU7N65P产品封装图如下：

RU7N65P产品特性：

漏源电压为650V

二极管连续正向电流为7A

静态漏源导通电阻典型值为1000mΩ（V_GS=10V条件下）

低反向传输

超低栅极电荷

通过100%雪崩测试

无铅，且绿色环保

符合RoHS标准

RU7N65P产品应用：

开关电源（SMPS）中的AC/DC功率转换

适配器

PWM电机控制

RU7N65P产品绝对最大额定值：

RU7N65P产品订购信息：

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