【产品】采用先进的高单元密度沟槽技术的N沟道增强型MOSFET LGE024N03-5DL8,漏源电压为30V
鲁光电子推出一款采用PDFN5×6-8L封装的N沟道增强型MOSFET LGE024N03-5DL8。该器件采用先进的高单元密度沟槽技术,具有超低栅极电荷等特性,漏源电压为30V,栅源电压为±20V,连续漏极电流为130A(TC=25℃)。
产品实物图和示意图
产品特点:
●超低栅极电荷
●绿色环保器件
●优异的Cdv/dt效应下降
●先进的高单元密度沟槽技术
机械数据:
●外壳:PDFN5×6-8L封装
●模压塑封:符合UL 94V-0阻燃等级
●端子:哑光镀锡引线,可焊性符合MIL-STD-202标准(方法208)
最大额定值(TA=25℃,除非另有说明):
热特性:
电气特性(TA=25℃,除非另有说明):
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型号- 1N4745,1A1,FR05-14,1N4744,1A2,1N4747,1A3,FR05-12,1N4746,ZY5.6,1A4,1N4749,ZY5.1,1A5,1N4748,1A6,1A7,SMAJ6.0CA,SMAJ40CA,HER602S,8050S,AK 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产品型号
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品类
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Package
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Vʀʀᴍ(I=Iʀᴍ)(V)
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Iғsᴍ(A)
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Vғᴍ(V)
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Iᴀᴠ(A)
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Iʀᴍ(Tᴀ=25℃)(μA)
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DSR0.5A
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Silicon Rectifiers
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SOD-123FL
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50V
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15A
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1.1V
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0.5A
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5μA
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选型表 - 鲁光电子 立即选型
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电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
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