ROHM第四代SIC MOSFET大公开!不牺牲短路耐受时间即可实现超低导通电阻,适用于车载逆变器和开关电源
罗姆半导体集团(ROHM)推出的第4代SiC MOSFET,在不牺牲短路耐受时间的情况下实现超低导通电阻,适用于车载逆变器和各种开关电源。
“双碳时代”已缓缓拉开帷幕,各行各业都将面临减排挑战。在电动车领域中,如何开发出小型化、更低功耗、更高性能的电控系统已成为产业链上下共同探索的方向。罗姆半导体集团顺应时代发展潮流,开发出新型碳化硅功率元器件——第4代SiC MOSFET。
罗姆于2020年完成开发的第4代SiC MOSFET,是在不牺牲短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品,目前不仅可供应裸芯片,还可供应分立封装的产品。该产品有助于实现车载逆变器和各种开关电源等各种应用的小型化和低功耗。
与Si(硅)半导体相比,SiC(碳化硅)半导体的禁带宽度更大,因此,其击穿场强是Si半导体的10倍以上。相对于Si MOSFET支持在1,000V以内工作,SiC MOSFET则可在高达3,000V的高电压条件下工作。本文将围绕以下内容诠释“改变世界的碳化硅功率元器件”。
第4代SiC MOSFET拥有诸多优势,是第3代SiC MOSFET的沟槽栅结构的进一步演进,将导通电阻降低约40%,开关损失降低约50%。如果推进高电压化(400V和800V)和大容量化(50kW-350kW),能实现续航距离的延长和快速充电的时间缩短,减少能源损失。对转换器的开关频率高频化、负载变化率大,轻负载运转较多的EV有降低损耗的效果,使得续航距离延长,运行成本降低。
SiC功率半导体是在提高便利性的同时,EV、数据中心、基站、智能电网等高电压和大容量的应用中,是提高功率转换效率的关键功率设备。活用这些高速开关性能,对低导通电阻对功率转换效率的提高有很大的贡献。本应用笔记使用第4代SiC MOSFET,进行了基本的降压型DC-DC转换器的实机验证、EV的牵引逆变器模拟行驶试验,以及确Totem-pole PFC 的实机有用性。笔记链接可看:第四代SIC MOSFET使用时的应用优势(中文版)。
罗姆半导体集团一直走在碳化硅功率半导体研发领域前沿,并积累有海量优质资料。今后将更多优质内容推送给大家,以助力万千工程师在相关的技术领域内实现自我突破。来日方长,敬请期待!
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【选型】ROHM(罗姆)工业设备电机用功率元器件/传感器接口/稳压器选型指南(英文)
目录- Industrial Motor System POWER DEVICE SENSOR INTERFACE VOLTAGE REGULATOR
型号- BD7673AG,RGS30TSX2DHR,ML62Q1300 SERIES,RPL-441C1,SMFXX SERIES,BD9BXXX,R6009JND3,BM1P105FJ,R6507KNJ,RGS60TS65DHR,R8019KNZ4,PDZV,R6025JNX,SIR-568ST3F,R6507KNX,BM6243FS,BM2P134HF,R6509KND3,GMR,BSM180D12P3C007,RFS20TJ6S,BSM400D12P2G003,BM61M41RFV-C,RJ1G12BGN,R8006KND3,R6500KNX SERIES,BM2P131EK,RGT50NS65D,RBLQ10RSM10,BSM600C12P3G201,BM2P131H,RD3L08BGN,RSJ301N10,RGT40TM65D,RGS00TS65DHR,RD3G600GN,BM2SCQ121T-LBZ,R6547KNZ4,BM2P133HK,BSM400C12P3G202,SCT2750NY,R6070JNZ4,BM2P0362,BM2P0361,RQ3G100GN,BM2P134H,R8052KNZ4,BM2P134EK,R6511KND3,RSDTXXNS SERIES,BM2P134EF,BM2P101HK,BM1P107FJ,BM1P062FJ,RFL,BD1020HFV,BM6241FS,RFS,R6004JNJ,R6030JNZ4,BD7672BG,R6524ENX,RS1P600BE,BD9VXXX,R8002KNX,R6524ENJ,BD63001AMUV,BSM180D12P2C002,BM2P104EKF,RBLQ20NL10C,RGT,RGT20NL65,RGS,BM2P133EK,R8003KNX,RBLQ SERIES,BM1P061FJ,RGT00TS65D,BM6242FS,BM2P101H,R6576KNZ4,RS1L120GN,PML SERIES,BM1Q002FJ,RFS30TZ6S,BD9AXXX,BD9A101MUV,BD9DXXX SERIES,BD7682FJ-LB,RGT16BM65D,RD3P08BBD,BM2P0161,RFL60TZ6S,R6500ENX,RBLQ10BM10,R8009KNX,BSM600D12P3G001,BM60052AFV-C,R6504KNJ,BM2SCQ122T-LBZ,R6504KND3,BD9BXXX SERIES,RFL SERIES,RGT8NS65D,R6515KNX,KX132-1211,RGT40NL65D,GMR SERIES,BM2P061H,R6004JND3,R6504KNX,R6507KND3,BD9A201FP4,BM2P064EK,R6511ENX,R6511ENJ,BM2P064EF,R6515KNJ,BM2SCQ124T-LBZ,BD9EXXX,R6530ENX,R60XXJNX SERIES,KX-134-1211,BM2P104HKF,BD7682FJ,BSM300D12P3E005,RGT80TS65D,R8011KNX,BS2103F,KX132,KX134,R6530KNZ4,RGT50TS65D,R6535ENZ4,RGT30NL65D,BM2P0161K,BM6109FV-C,RPL-121,SMFXX,RPL-122,RPL-243,BM1P066FJ,RPL-125,RPL-246,BM2P064H,RGS00TS65EHR,R6012JNX,UCR SERIES,ML62Q1000,RGT8TM65D,BM2P131FK,BM2P064EKF,R6524KNZ4,RGT8BM65D,R6520ENZ4,BS2101F,BD9DXXX,R6509ENJ,RS1G120MN,R6050JNZ4,RGT60TS65D,RGT16NS65D,R6509ENX,BM2P0163T,BM1P065FJ,R6012JNJ,RPL-222,RJ1L12BGN,RPL-221,BD9G102G,BD7679G,BS2114F,RGT50NL65D,RFS60TZ6S,SIM-20ST,R8000KNX,R8011KNZ4,BM2P131HK,PML,RFL30TZ6S,RPL-352,BD9AXXX SERIES,BM1Q104FJ,VSXXUA1LAM,RQ3L090GN,BM2P134EKF,BM2SCQ12XT-LBZ SERIES,BSM300C12P3E201,R65XXENX,R6020JNJ,BM2SCQ123T-LBZ,BM2P061EK,R6520ENX,R6524KNX,RPMD-0100,BM6101FV-C,BM1P068FJ,RFS SERIES,R8006KNX,BD9GXXX,BD7684FJ-LB,BSM180C12P2E202,R6520ENJ,R6524KNJ,BM61S41RFV-C,RGT40TS65D,BM2P061FK,BSM300C12P3E301,RGT50TM65D,RD3P200SN,R6007JNJ,RJ1P12BBD,BS2114FS,BD9E304FP4,BSM120C12P2C201,BM1P067FJ,R6042JNZ4,ML62Q1300,R6018JNX,SIM-22ST,BD9VXXX SERIES,RGS80TSX2DHR,R6509END3,R6030JNX,ML62Q1500 SERIES,R6502END3,BDJXXX0AHFV,KDZV,ML62Q1000 SERIES,RGT20NL65D,R6007JNX,R8002KND3,BD9G341AEFJ,BM2P061HK,BM64378S-VC,R6009JNX,R6020JNZ4,BD9EXXX SERIES,R6009JNJ,R6507ENJ,RGS80TS65DHR,R8019KNX,BM6102FV-C,BM2P063EK,BSM120D12P2C005,R6507ENX,RQ3G150GN,RGT30TM65D,BS2132F,LTR SERIES,BM65364S-VA,PSR,BM65364S-VC,RS1L180GN,R6547ENZ4,R6511KNX,BD768XFJ-LB SERIES,VSXXVUA1LAM,RGS50TSX2DHR,R6500KNX,R6576ENZ4,BM2P064HF,BM2PHKF,R60XXJNX,RSJ650N10,R8001KND3,BSM300D12P2E001,BM2P134HKF,R65XXKNX SERIES,BM64377S-VC,R6500ENX SERIES,PTZ,R6511KNJ,BSM250D17P2E004,R6006JND3,BD9G500EFJ,ML62Q1500,RB218NS200,RGT16TM65D,R6020JNX,BM2P063HK,RD3G400GN,PSR SERIES,SCT2H12NY,RB088NS200,SCT2H12NZ,BM2P103HK,BM1P101FJ,R6507END3,BM60054AFV-C,RD3L220SN,LTR18,RGT20TM65D,KDZLV,BM60055FV-C,BSM080D12P2C008,SIM-030ST,BM2SCQ12XT-LBZ,RPL-441C1E,RPL-0352E,RGT30NS65D,LTR10,BM60060FV-C,BM2P104H,BM6105AFW-LBZ,BD7682F-LB-EVK-401,BD7682F-LB-EVK-402,RGT16NL65D,BM60213FV-C,RJ1L08CGN,R6511END3,R6509KNJ,BM2P101FK,BM1Q011FJ,RJ1G08CGN,BD7683FJ-LB,SIR-34ST3F,RGS SERIES,R6004JNX,RPI-0451E,R6504END3,R6509KNX,R6025JNZ4,SIM-040ST,RGT40NS65D,SIR-563ST3F,BM2P101EK,R6007JND3,R8000KNX SERIES,R65XXKNX,RSDTXXNS,SIR-341ST3F,R65XXENX SERIES,RS1G180MN,BM1P10CFJ,R6504ENX,UCR,GMR320,LTR100,R6504ENJ,RB088BM200,BS2130F-G,RBLQ,R6018JNJ,R6006JNX,SIR-56ST3F,R6520KNX,BD9D300MUV,R6520KNJ,BSM400D12P3G002,BM2P104EF,BM2P104EK,BSM180D12P3C202,LTR50,BD9G500EFJ-LA,BM64374S-VA,RPI-0226,BM2SCQ123T-EVK-001,R6515ENJ,BD9GXXX SERIES,RMS332SD-012,RMS332SD-011,RGT8NL65D,RMS332SD-010,RS1G300GN,BM2P104HF,GMR50,LTR,BM64375S-VC,BDJXXX0AHFV SERIES,GMR100,VSXXVUA1LAM SERIES,BM1P102FJ,R6530ENZ4,BD9E304FP4-LBZ,BD768XFJ-LB,RGT SERIES,RGT20NS65D,BM6108FV-LB,R6515ENX,R6535KNZ4,BD2320EFJ-LA,BM60212FV-C,R6530KNX,R6006JNJ,R6520KNZ4,BM1Q021FJ,R8003KND3,BM61S40RFV-C,BM2P103EK,R6524ENZ4,RB218BM200,RPI-0125,BD7685FJ-LB
【产品】 1200V/80mΩ的SiC MOSFET IV1Q12080T4,TO247-4封装
瞻芯电子的SiC MOSFET IV1Q12080T4,漏源电压1200V,采用TO247-4封装,该产品存储温度范围为-55℃~175℃,工作结温范围为-55℃~175℃,适用于光伏逆变器、UPS 电源 、电机驱动、高压 DC/DC变换器 、开关电源等。
新产品 发布时间 : 2020-10-21
【产品】派恩杰推出国内首款1700V SiC MOSFET,大幅减少辅助开关电源成本
派恩杰半导体(杭州)有限公司推出国内首款1700V/3Ω的SiC MOSFET P3M173K0K3,最大漏极电流为2.7A。该产品针对高压辅助电源应用而开发,具有较高的耐压,极低的栅极电荷,较小的导通电阻Rds(on),使得其广泛适用于工业电机驱动,光伏,直流充电桩,储能变换器及UPS等三相功率变换系统中辅助电源设计。
新产品 发布时间 : 2020-09-26
SiC MOSFET 的驱动功率一般为多大,比如科锐公司的C3M0065090D的驱动功率要求大吗?一般为多少?如果驱动电路的最大驱动功率为1w,可以成功驱动吗?
根据经验公式 P=f*Q*Uf为开关频率,Q为栅极总电荷,U为栅极开关态压差(如果+15v开通,-5V截止,则U=20V)根据规格书Q=30.4nC,假设f=600kHz,U=20V,则P=0.36W;但是,这只计算了电容效应的功耗,还有有栅极电阻方面的功耗和留有余量。在这种情况下建议选择5倍左右的驱动功率,大约2W较为保险。世强代理的产品中包含多种SiC-mos、MOSFET驱动和配套的电源产品,欢迎参考:【产品】同步整流降压MOSFET驱动器ISL6594A,ISL6594B,支持2MHz的高开关频率【选型】ROHM(罗姆)SIC碳化硅功率元器件选型指南Littelfuse SiC碳化硅MOSFET-交期短·可靠供应,替代替换C2M0080120D,SCT2080KE缺货
技术问答 发布时间 : 2019-04-30
【应用】反激开关电源的开关管最佳选择:Littelfuse的1700V/1Ω的SIC MOSFET
基于反激电源的开关管Q1的反压参数1500V以上和正向电流参数3A以内的应用需求,Littelfuse的LSIC1MO170E1000的SIC MOSFET将是该处开关管应用的最佳选择。
应用方案 发布时间 : 2018-12-26
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可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
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