【产品】N沟道MOSFET DB008NG，最大漏源电压为20V，连续漏极电流可达45A
国内MOSFET专业生产厂商杜因特，多年深耕半导体领域，结合自身技术积累和优势，与国内外一流的芯片代工厂、封测厂深度合作，推出一系列物美价廉产品。
DB008NG是杜因特推出的一款N沟道MOSFET，其采用先进的沟道技术和设计，提供出色的RDS（on）以及低栅极电荷，可以用于各种应用。
特点：
1） 最大漏源电压VDS=20V，最大连续漏极电流ID=45A，漏源导通电阻RDS（ON）<8mΩ@VGS=10V
2） 低栅极电荷。
3） 符合绿色环保要求。
4） 以先进高单元密度沟道技术实现超低RDS（ON）。
5） 采用先进的封装形式，可提供良好的散热性能
绝对最大额定值参数：(TC=25℃ 除非另有说明)
热特性
封装标记和订购信息：
电气特性：(TC=25℃ 除非另有说明)
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