【产品】N沟道MOSFET DB008NG，最大漏源电压为20V，连续漏极电流可达45A
国内MOSFET专业生产厂商杜因特，多年深耕半导体领域，结合自身技术积累和优势，与国内外一流的芯片代工厂、封测厂深度合作，推出一系列物美价廉产品。
DB008NG是杜因特推出的一款N沟道MOSFET，其采用先进的沟道技术和设计，提供出色的RDS（on）以及低栅极电荷，可以用于各种应用。
特点：
1） 最大漏源电压VDS=20V，最大连续漏极电流ID=45A，漏源导通电阻RDS（ON）<8mΩ@VGS=10V
2） 低栅极电荷。
3） 符合绿色环保要求。
4） 以先进高单元密度沟道技术实现超低RDS（ON）。
5） 采用先进的封装形式，可提供良好的散热性能
绝对最大额定值参数：(TC=25℃ 除非另有说明)
热特性
封装标记和订购信息：
电气特性：(TC=25℃ 除非另有说明)
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由疾锋知劲草翻译自杜因特，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】规格为30V/3A的N沟道MOSFET DO2316，采用先进的沟槽技术设计，具有低栅极电荷
杜因特推出的DO2316是一款采用SOT-23封装的N沟道MOSFET，该器件采用先进的沟槽技术设计，具有优良的漏源导通电阻RDS(on)和低栅极电荷特性，在热性能方面，结到环境的热阻最大值为138℃/W，并有广泛的应用领域。
【产品】漏源电压为60V的N沟道MOSFET DE004TG，漏源导通电阻＜3.5mΩ
杜因特（Doingter）推出的DE004TG是一款采用TO-252封装的N沟道MOSFET，该器件采用先进SGT技术设计，具有优良的漏源导通电阻RDS(on)和低栅极电荷特性。结到壳的热阻最大值为0.89℃/W，结到环境的热阻最大值为62℃/W。
【产品】采用先进的沟道技术的N沟道MOSFET DB007NG，最大漏源电压VDS为20V，拥有低栅极电荷等特性
DB007NG是杜因特新推出的一款N沟道MOSFET，其采用先进的沟道技术和设计，以低栅极电荷提供出色的漏源导通电阻，可以用于各种各样的应用，如电子电子，大功率驱动电路，开关电源领域。
杜因特MOS选型表
杜因特提供以下技术参数的MOSFET选型，耐压范围20V-900V，具有极低的导通电阻，封装规格突破16种，可根据客户需要定制低中高压及不同封装参数产品
|
产品型号
|
品类
|
VDSS(V)(MIN)
|
ID(A) at 25℃
|
VGS(V)(MAX)
|
Ciss(pF)(TYP)
|
RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(TYP)
|
RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(MAX)
|
|
DB010NG
|
MOSFET
|
20V
|
30A
|
12V
|
990pF
|
8MΩ
|
10MΩ
|
选型表 - 杜因特 立即选型
ZC010NG-B N沟道MOSFET\n
描述- 该资料详细介绍了ZC010NG-B型N沟道MOSFET的特性。它采用先进的沟槽技术，以降低导通电阻，提供卓越的开关性能和承受高能脉冲的能力。这些器件适用于高效快速切换应用。
型号- ZC010NG-B
ZE030NG-J N沟道MOSFET
描述- 该资料详细介绍了型号为ZE030NG-J的N沟道MOSFET的特性。它采用先进的沟槽技术，以降低导通电阻，提供优越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速切换应用。
型号- ZE030NG-J
DO5N10BA N沟道MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DO5N10BA型号的N沟道MOSFET的特性。它采用了先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点。资料涵盖了最大额定值、热特性、封装信息、电气特性、动态特性和开关特性等内容。
型号- DO5N10BA
DE018NG-F N沟道MOSFET
描述- 本资料详细介绍了DE018NG-F型N沟道MOSFET的特性。该器件采用先进的深槽技术设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。资料提供了绝对最大额定值、热特性、封装标记和订购信息、电气特性、动态特性、开关特性和二极管特性等内容。
型号- DE018NG-F
TH130NG-F N沟道MOSFET
描述- 本资料详细介绍了TH130NG-F型N沟道MOSFET的特性。该器件采用先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷，适用于多种应用。
型号- TH130NG-F
SE015DTG双通道N沟道MOSFET
描述- 本资料介绍了SE015DTG双通道MOSFET的特性，包括其低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷、绿色环保设计以及高效散热封装。该器件适用于多种应用场景。
型号- SE015DTG
DC010NG-S N沟道MOSFET\n
描述- 该资料介绍了DC010NG-S型N沟道MOSFET的特性。它采用先进的沟槽技术设计，提供优异的RDS(on)和低栅极电荷，适用于多种应用。
型号- DC010NG-S
QB005DNG双通道N沟道MOSFET
描述- 该资料详细介绍了QB005DNG双通道MOSFET的特性，包括其电气参数、热特性、封装信息和典型特性。它采用先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于多种应用。
型号- QB005DNG
DH100NG-S N沟道MOSFET
描述- 该资料介绍了DH100NG-S型N沟道MOSFET的特性。它采用先进的沟槽技术设计，提供优异的导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷，适用于多种应用。
型号- DH100NG-S
PH020TG N沟道MOSFET
描述- 该资料介绍了PH020TG型号的N沟道MOSFET的特性。它采用了先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷的特点。适用于多种应用。
型号- PH020TG
PE3R5TG N沟道MOSFET
描述- 该资料介绍了PE3R5TG型号的N沟道MOSFET的特性。它采用了先进的SGT技术和设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷，适用于多种应用。
型号- PE3R5TG
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论