【产品】N沟道MOSFET DB008NG，最大漏源电压为20V，连续漏极电流可达45A
国内MOSFET专业生产厂商杜因特，多年深耕半导体领域，结合自身技术积累和优势，与国内外一流的芯片代工厂、封测厂深度合作，推出一系列物美价廉产品。
DB008NG是杜因特推出的一款N沟道MOSFET，其采用先进的沟道技术和设计，提供出色的RDS（on）以及低栅极电荷，可以用于各种应用。
特点：
1） 最大漏源电压VDS=20V，最大连续漏极电流ID=45A，漏源导通电阻RDS（ON）<8mΩ@VGS=10V
2） 低栅极电荷。
3） 符合绿色环保要求。
4） 以先进高单元密度沟道技术实现超低RDS（ON）。
5） 采用先进的封装形式，可提供良好的散热性能
绝对最大额定值参数：(TC=25℃ 除非另有说明)
热特性
封装标记和订购信息：
电气特性：(TC=25℃ 除非另有说明)
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杜因特MOS选型表
杜因特提供以下技术参数的MOSFET选型，耐压范围20V-900V，具有极低的导通电阻，封装规格突破16种，可根据客户需要定制低中高压及不同封装参数产品
|
产品型号
|
品类
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VDSS(V)(MIN)
|
ID(A) at 25℃
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VGS(V)(MAX)
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Ciss(pF)(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(MAX)
|
|
DB010NG
|
MOSFET
|
20V
|
30A
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12V
|
990pF
|
8MΩ
|
10MΩ
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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