UMS推出GH25氮化镓工艺，容许设计高达20GHz的LNAs

时间： 2022-08-19 来源：UMS

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UMS推出的GH25氮化镓工艺为大功率而优化，放大可达20GHz。由热耗散SiC基板支撑的GH25功率密度达到4.5W/mm，这种MMIC工艺包括MIM电容器，电感，空气桥，金属电阻，通孔基板和两个互连的金属层。良好的HEMT噪声性能还容许设计高达20GHz的LNAs。

GH25是理想的设计工艺：

高功率放大器

稳健低噪声放大器

高功率开关

GH25的应用目标：

电信

卫星通信

电子战

雷达

Output Power（dBm）：输出功率（dBm）Source Available Power（dBm）：电源可用功率(dBm)

工艺设计套件(PDK)包括非线性电热模型，噪声模型，二极管和开关模型，无源模型，均带有相关的库元素。

工艺主要特点：

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产品型号	品类	RF Bandwidth (GHz)min	RF Bandwidth (GHz)max	Gain(dB)	IP3(dBm)	P-1dB OUT(dBm)	Sat. Output Power(dBm)	PAE(%)	Bias(mA)	Bias(V)	Case
CHA1008-99F	低噪声放大器	80	105	17	DC	5	DC	DC	115	2.5	Die

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CHKA011aSXA	氮化镓功率晶体管	23.5 @ 0.44	Up to 1.5	130	75 @ 0.44	640	50	Ceramic Metal Flange

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