【产品】芯佰特高增益且宽频带的氮化镓CBN027030-10内匹配功放，输入输出均为50欧姆，适用于雷达和通信
随着现代通信技术的不断发展，能量粍损对通倍系统的要求越来越高，而功率放大器是通信系统能耗的一个重要组件，因此超宽带、高效率的功率放大器成为现代通信系统发展的迫切需求。第三代半导体材料GaN高电子迁移率晶体管（High ElectronMobilityTransistor, HEMT)具有禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和漂移速度大、热导率高、抗福射能力强等突出特点，特别适合于制作高频、高压、 高效、大功率微波器件，基于GaN HEMT的高效功率放大器目前已广泛应用于雷达和通信等领域。
歼35是全球首款采用氮化镓雷达的战机
芯佰特CBN027030-10型氮化镓内匹配功放是一款基于0.5um氮化镓HEMT工艺的射频功率放大器。该款放大器输入输出均为50欧姆，同时配以高可靠性的陶瓷金属封装。只需极少量的外围元件即可获得高效可靠的10W功率输出。
主要特点：
纯国产化
CBN027030-10内部包含氮化镓HEMT在内的所有元件均为国产元件，外部封装管壳也由国内某所自主独立研发。
易用性
CBN027030-10内部集成栅极射频去耦电容、漏极射频去耦电容、输入和输出隔直电容，在该器件使用过程中只需要在VGS、VDS引脚外加入少量的大容量电源去耦电容即可。同时，该器件输入输出匹配全部集成在封装内部而无需外围匹配元件。
高效率
CBN027030-10相较于传统同频段同功率等级的PA，效率有10个点的提升。传统同型号PA效率常在50%左右，而该款PA效率≥60%。高效率不仅意味着整机散热负担的降低，也意味着整机可靠性的大幅提高。
高可靠性
CBN027030-10采用金属陶瓷封装，VDD工作电压可以达到48V，内部电路设计种耐压也留有大幅裕量。加上共晶焊接工艺提供的低热阻散热通道，这就保证了该器件的低温升、高可靠性。
典型性能：
1、频段：2.7-3.0GHz；
2、饱和功率≥10W；
3、功率增益≥14dB；
4、功率附加效率≥60%的高效功率输出；
5、偏置条件：VDS=28V、VGS=-3.0V。
典型应用场景：S波段相控阵雷达
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本文由梁楚瑜转载自芯佰特，原文标题为:芯百特推出高增益、宽频带的氮化镓（GaN）功率放大器系列产品，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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