【产品】符合AEC-Q101标准的NPN型功率晶体管2SCR583D3FRA，可用于低频放大器
罗姆（ROHM）半导体集团是全球最知名的半导体厂商之一其推出的2SCR583D3FRA是一款NPN型功率晶体管，其互补PNP类型器件为2SAR583D3FRA。该器件符合AEC-Q101标准，适用于电源驱动器。在绝对最大额定值 (Ta=25℃)方面，集电极-发射极电压VCEO为50V，集电极电流IC为7A。
在Ta=25℃条件下，其集电极-发射极饱和电压VCE(sat)*3的最大值为350mV（IC=3A, IB=150mA）。该器件采用TO-252封装，其产品外形如图1所示，内部电路如图2所示，封装尺寸如图3所示。该器件主要用于低频放大器领域。
图1 产品外形
图2 内部电路
特点：
1) 适用于电源驱动器
2) 互补PNP类型：2SAR583D3FRA
3) 低 VCE(sat)：VCE(sat)=350mV(最大值) (IC/IB=3A/150mA)
应用：
• 低频放大器
包装规格
绝对最大额定值 (Ta=25℃)
注释：
*1 Pw=10ms单脉冲
*2 Tc=25℃
*3 脉冲
图3 封装尺寸
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由零点翻译自ROHM，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】宽电源电压为4.5V~35V的隔离式功率晶体管驱动器XTR26020 ，广泛应用于电机驱动
EASII IC推出的XTR26020是一款高温，高可靠性的隔离式功率晶体管驱动器，旨在为驱动各种高温，高电压和高效率的功率晶体管提供强大、可靠、紧凑和高效的解决方案。
产品 发布时间 : 2022-09-06
【产品】EASII IC功率晶体管驱动器集成电路XTR25010，适用于电源转换和电机驱动
EASII IC推出的XTR25010是一款高温、高可靠性功率晶体管驱动器集成电路，设计用于驱动碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 和标准硅材料中的常开和常闭功率晶体管，包括JFET、MOSFET、BJT、SJT和MESFET。
产品 发布时间 : 2022-09-02
【产品】适用于中功率驱动器的PNP中功率晶体管2SAR512RHZG，集电极电流为-2A
ROHM旗下的PNP中功率晶体管2SAR512RHZG，集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为-30V，集电极电流为-2A，采用SOT-346T封装形式，适用于低频放大器和高速开关等应用中。
产品 发布时间 : 2022-04-22
【产品】SOT-89封装-80V/-0.7A PNP型中等功率双极晶体管2SAR514P5，特征频率典型值达380MHz
2SAR514P5是ROHM推出的PNP型双极晶体管，该产品具有低集电极-发射极饱和电压和高开关速度，电气性能出色。该产品采用SOT-89封装，符合RoHS标准，主要应用于低频放大器和高速开关应用。
新产品 发布时间 : 2019-11-26
【产品】PNP型双极晶体管2SAR587D3，集电极-基极电压和集电极-发射极电压的最大值均为-120V
2SAR587D3是ROHM推出的PNP型双极晶体管，符合RoHS标准，对环境友好，具有低集电极-发射极饱和电压的特点，与NPN型双极晶体管2SCR587D3互补配对，适用于功率驱动器和低频放大器。
新产品 发布时间 : 2019-08-09
【经验】SiC-MOSFET功率晶体管的结构与特征比较
本篇讲述比较各SiC-MOSFET功率晶体管结构和特征。功率晶体管的特征因材料和结构而异。在特性方面各有优缺点，但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。
设计经验 发布时间 : 2018-12-08
【产品】饱和压降最大仅为300mV的NPN型汽车级功率晶体管2SCR586D3FRA，适用于低频放大器
罗姆（ROHM）半导体集团是全球最著名半导体厂商之一，其研制的产品涉及很多的领域，包括IC、分立元器件、光学元器件、无源元件、模块、半导体应用产品及医疗器具。2SCR586D3FRA是ROHM推出的一种低VCE（SAT）NPN型汽车级功率晶体管，与2SAR586D3FRA PNP型互补配对，通过了AEC-Q101认证，适用于低频放大器。
新产品 发布时间 : 2019-06-20
【产品】-50V/-3A的PNP型通用双极晶体管2SAR573D3，采用DPAK封装
2SAR573D3是ROHM推出的低VCE(sat)是PNP型通用双极晶体管，与NPN型双极晶体管2SCR573D3互补配对，适用于功率驱动器和低频放大器。2SAR573D3的集电极-基极电压和集电极-发射极电压最大额定值均为-50V，集电极电流最大额定值达-3A，耗散功率最大额定值为10W，工作结温最大额定值为150℃，存储温度为-55~150℃
新产品 发布时间 : 2019-12-09
【产品】增强型并采用半桥拓扑的氮化镓功率晶体管，能量效率最高可达90%
EPC 公司推出的GaN功率晶体管EPC2100,漏源电压VDS最大值为30V（连续），驱动电压范围-4V~6V，工作温度范围-40℃~150℃,最大工作频率超过10MHz,应用于高频DC-DC电源转换和负载点（POL）转换器等方面。
新产品 发布时间 : 2018-03-16
【产品】500mA/30V NPN型通用晶体管2SCR502E3HZG，结温高达150℃，用于低频放大器
ROHMNPN型通用晶体管2SCR502E3HZG，SOT-416封装，符合AEC-Q101标准。集电极-基极电压、集电极-发射极电压最大30V，集电极电流最大0.5A，耗散功率最大150mW，结温150℃，存储温度范围-55至150℃。
新产品 发布时间 : 2022-08-10
【产品】符合AEC-Q101标准的PNP型功率晶体管2SAR583D3FRA，适用于电源驱动器
罗姆（ROHM）推出的2SAR583D3FRA是一款PNP型功率晶体管，其互补NPN类型器件为2SCR583D3FRA。该器件符合AEC-Q101标准，适用于电源驱动器。在绝对最大额定值方面，集电极-发射极电压为-50V，集电极电流为-7A。
新产品 发布时间 : 2022-06-18
【产品】-2.0A/-50V PNP型中功率晶体管2SAR553R，可用于低频放大器和高速开关应用
2SAR553R是ROHM公司推出的一种PNP型中功率晶体管，与2SCR553R NPN型晶体管互补配对，具有高集电极电流、低VCE（sat）等特点，可用于低频放大器和高速开关应用。2SAR553R中功率晶体管集电极-基极电压VCBO和集电极-发射极电压VCEO为-50V，发射极-集极电压VEBO为-6V，非常适用于中低压应用场合；该产品集电极电流IC为-2A。
新产品 发布时间 : 2019-07-10
电子商城
现货市场
服务
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论