【产品】导通内阻仅1.02mΩ让这MOSFET功率模块更高效
——集成6个MOSFET，沟道温度最高150℃，热阻0.92℃/W
MG005G是新电元推出的一款MOSFET功率模块，其内部集成6个大功率的MOSFET，模块工作电压可达40V，工作电流最高可达130A。该款MOSFET功率模块的漏极-源极导通电阻1.02mΩ，其在工作过程中不仅可以减少发热，实现更低损耗，同时可输出更大功率，适合大功率电力电子系统的设计。此外，MG005G的总栅极电荷为115nC，栅极-漏极电荷为50nC，且其Ciss为5900pF，Crss为590pF，Coss为1100pF，因此其可应用于高工作频率的系统设计。
该款MOSFET功率模块的沟道温度最高可达150℃，而其热阻仅0.92℃/W，模块自身的散热表现出色，极大降低了在大功率应用中系统的热设计难度。同时，模块内集成热敏电阻，可对模块内的温度进行实时监控，防止温度过高对模块造成永久性损坏。
MG005G的主要应用范围包括逆变器、电机驱动设计以及大功率电源的设计。
MG005G的特点：
• 工作电压最高40V
• 平均整流输出电流130A
• 零栅压内电流1uA
• 栅极-源极泄漏电流0.1uA
• 漏极-源极导通电阻1.02mΩ
• 总栅极电荷115nC，栅极-漏极电荷50nC
• Ciss为5900pF，Crss为590pF，Coss为1100pF
• 热阻0.92℃/W
• 沟道最高温度150℃
• 集成热敏电阻（NTC）
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用户66989799 Lv5. 技术专家 2017-12-31减少发热 -
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波哥 Lv7. 资深专家 2017-11-12厉害 -
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三3三 Lv8. 研究员 2017-11-02内阻好小啊，元器件越来越厉害了！ -
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jerry Lv7. 资深专家 2017-09-27模块内热敏电阻如何防止永久性损坏？
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