【应用】硅基增强型氮化镓场效应晶体管EPC2214用于单线激光雷达项目,最大脉冲电流达到47A
激光雷达是以发射激光束来探测目标的位置和速度等特征量的雷达系统,广泛应用于公路交通情况调查、车辆检测器和车辆轮廓尺寸检测等系统方案中,还有无人驾驶、AGV自然导航应用中也非常有优势。客户研发一款单线激光雷达,其中激光发射链路会选择高功率激光二极管、超快响应的功率开关氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)和驱动IC,信号链路如下。主控制器MCU给驱动IC一个PWM信号来驱动氮化镓场效应晶体管,产生脉冲电流使激光二极管向目标探测物发出光束。
用GaN材料制成的功率器件GaN FET,与硅基功率MOSFET相比,基于eGaN技术的产品的开关更快速、尺寸更小、导通电阻更小效率更高、成本更低及更可靠,这使得它非常适合用于激光雷达项目中。本文讲述EPC(宜普电子)的硅基增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET) EPC2214,耐压80V,最大脉冲电流达到47A,导通电阻仅为15毫欧,封装尺寸小,用于客户的单线激光雷达项目。详细的产品主要参数如下所示:
由上可知,EPC(宜普电子)的EPC2214有以下几点优势:
1、最大脉冲电流达到47A,极短脉宽实现大电流,可驱动高功率激光二极管,实现较远距离测量;
2、典型导通电阻仅为15毫欧,能够减小导通损耗,实现系统更小的发热量;
3、极低的QG和零QRR,能够实现高开关频率、高效率;
4、采用BGA封装,尺寸小至1.35x1.35mm,占板面子很小,满足小型化设计需求。
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
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28
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150
|
BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
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