GaN Power Devices Achieve a High-Efficiency 48V, 1.2kW LLC Resonant Converter in a ⅛th Brick Size

2022-07-27 EPC

There is increasing demand for extracting more power from standard 48V bus converters for server applications' ever-increasing power requirements. GaN Power Devices allow a designer to achieve a converter's goals: high efficiency, small size & high current handling, ease, and high reliability. To whet your appetite, EPC designed a 1.2kW resonant converter demo board (EPC9174) in a 1/8th brick form factor that achieves an impressive 97.3% peak efficiency.


The LLC resonant topology of the EPC9174 consists of a full-bridge primary side and a center-tapped secondary side with parallel-connected synchronous rectifiers to reduce the conduction loss. A series-connected 2 × 2:1:1 matrix transformer integrated into a single core is designed. The high output current is distributed among multiple secondary stages, ensuring low interconnect inductance between the transformer and the synchronous rectifiers and reducing winding loss.


eGaN FETs are well suited for soft-switching LLC resonant converters mainly due to the very low gate charge (Qg), the 5V gate operation, and low output capacitance of the FETs. The EPC9174 uses the 100V rated 2.2mΩ EPC2071, and 40V rated 1mΩ  EPC2066 for the primary and secondary-side power devices, respectively.

The overall power loss and efficiency at 48V input and 12V output, including the housekeeping power consumption, is shown in the measured graph below:

The EPC9174 is a 48V input, 1.2kW output, 4:1 conversion ratio, LLC resonant converter in the ⅛th power brick size designed with GaN FETs to help jump-start your next design.

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产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

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