【产品】内匹配氮化镓射频晶体管，频率覆盖1.2-5.8GHz
——完美适用于工作频率范围内的各种射频功率应用
全球领先的微波元件供应商UMS推出了内匹配的氮化镓（GaN）射频晶体管，工作频率为1.2-5.8GHz，覆盖L至C波段。该系列内匹配的GaN射频晶体管不需要任何外部匹配电路，完美适用于工作频率范围内的各种射频功率应用，输出功率最高可达200W，小信号增益最高可达20dB，取得最大PAE时的增益大于15dB，适合对小信号进行放大，实现大功率射频输出，尤其适用于脉冲雷达。
该系列内匹配的GaN射频晶体管功率附加效率（PAE）最小可达40%，减少了所产生的额外热量，降低了功率消耗和冷却成本。同时其采用0.5μm栅极长度的GaN HEMT工艺，具有QFN塑料封装和陶瓷金属法兰电源封装，保证了低寄生参数和低热阻，同时可快速散发热量，确保了产品的寿命和稳定性，可达到大于106小时的平均无故障时间。工作电压支持45/50V，静态漏极电流支持100mA至1.3A，其可广泛应用于雷达系统和卫星通信系统等领域。
主要特性：
• 工作频率：1.2-5.8GHz
• 增益：最高达20dB
• 无需任何外部匹配电路
• 输出功率：最高达200W
• 功率附加效率：最小40%
• 多种封装：QFN塑料封装，陶瓷金属法兰封装
主要应用：
• 卫星通信系统
• 雷达系统
• 脉冲雷达
选型表：
表1：选型表
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耕者 Lv6. 高级专家 2018-11-02好资料值得学习！ -
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RF.DEVICE Lv5. 技术专家 2018-09-12good -
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自主知识产权 Lv7. 资深专家 2018-07-13好不错资料收藏了
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