【产品】2G bit容量GD5F2GQ5xExxG系列SPI NAND Flash，具有卓越的写入性能
兆易创新(Gigadevice)公司新推出的 GD5F2GQ5xExxG系列 SPI（串行外设接口）NAND闪存为嵌入式系统提供了超高性价比的高容量非易失性存储器存储解决方案，基于业界标准的NAND闪存内核。它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存富有吸引力的替代品，具有以下先进功能，总引脚数为8，包括VCC和GND，
• 容量为2G bit
• 卓越的写入性能和SPI-NOR相同的每比特成本
• 显著低于并行NAND闪存的成本
GD5F2GQ5xExxG这款低引脚数的NAND闪存遵循业界标准的串行外设接口，从一个容量到另一个容量始终保持相同的引脚排列。命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理NAND特定功能并添加了新功能。 兆易创新 SPI NAND是一款易于集成的NAND闪存，具有特定的设计功能，可简化主机的管理：
•用户可选的内部ECC。 ECC奇偶校验是在页面编程操作期间在内部生成的。 将页读到高速缓存寄存器时，将检测到ECC奇偶校验，并在必要时更正错误。 设备输出校正后的数据并返回ECC错误状态。
•内部数据通过内部ECC移动或复制回去。 该设备可以方便的刷新和管理垃圾收集任务，而无需移入和移出数据。 该命令字符串只能在具有相同奇偶校验属性的块上使用。
•带内部ECC的通电读取。上电后设备会自动读取第一个块的第一页进行缓存，然后主机可以直接从缓存中读取数据，方便启动。内部ECC保证数据的正确性。
在基于页面的操作中编程和读取，并在基于数据块的操作中擦除。数据逐页传输到NAND闪存阵列或从NAND闪存阵列传输到数据寄存器和高速缓存寄存器。高速缓存寄存器最接近I / O控制电路，并充当I / O数据的数据缓冲区；数据寄存器最靠近存储器阵列，并充当NAND闪存阵列操作的数据缓冲器。高速缓存寄存器用作缓冲存储器，以启用页面和随机数据READ / WRITE和回写操作，器件还使用SPI状态寄存器来报告器件操作的状态。
表1 产品选型
注意：（1）工业级+：F级实施了额外的测试流程，以确保比I级更高的产品质量。
GD5F2GQ5xExxG系列SPI NAND Flash特点
◆2Gb SLC NAND闪存
◆2048字节+128字节物理页面大小
-内部ECC关闭（ECC_EN = 0）：2048字节+ 128字节完全访问权限
-内部ECC开启（ECC_EN = 1，默认值）：程序：2048字节+ 64字节
读取：2048字节+ 128字节
◆标准，两路，四路SPI，DTR
-标准SPI：SCLK，CS＃，SI，SO，WP＃，HOLD＃
-两路SPI：SCLK，CS＃，SIO0，SIO1，WP＃，HOLD＃
-四路SPI：SCLK，CS＃，SIO0，SIO1，SIO2，SIO3
-DTR（两倍传输速率）读取：SCLK，CS＃，SIO0，SIO1，SIO2，SIO3，DQS
◆高速时钟频率
-3.3V：30pF负载下快速读取为104MHz
-1.8V：30pF负载下快速读取为80MHz
-3.3V：四路I / O数据传输速率高达416Mbits / s
-1.8V：四路I / O数据传输速率高达320Mbits / s
◆软件/硬件写保护
-通过软件写保护全部/部分内存
-使用WP＃引脚进行寄存器保护
◆单电源电压
-1.8V全电压范围：1.7V〜2.0V
-3.3V全电压范围：2.7V〜3.6V
◆高级安全功能
-8K字节OTP区
◆编程/擦除/读取速度
-页面编程时间：典型值为300us
-块擦除时间：典型值为3ms
-页面读取时间：最大50us
◆低功耗
-最大工作电流为30mA
-最大待机电流为50uA
◆增强访问性能
-2 Kb高速缓存用于快速随机读取
-缓存读取和缓存编程
◆NAND的高级功能
-Factory good block0
◆可靠性
-具有ECC的P/E周期：100K
-数据保留：10年
◆内部ECC
-4 bits /528 Byte
注意
（1）：即使内部4位ECC算法仅需要64字节的备用区，用户也可以选择2048Byte + 128Byte的页面大小来容纳更高级的ECC算法。
（2）：内部4位ECC出厂默认设置为开启（ECC_EN = 1），可以通过设置ECC_EN = 0禁用它。
-当启用内部ECC时，用户只能对整个128字节备用区的前64字节部分进行编程，而其余64字节备用区则无法编程。 用户仍然可以读取整个128字节备用区。
-禁用内部ECC时，用户可以读取和编程整个128字节备用区。
图1 引脚示意图
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