【产品】漏源电压1200V的N沟道SiC MOSFET ASC30N1200MT7，耗散功率145W

时间： 2022-09-03 来源：爱仕特

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N沟道SiC MOSFET,碳化硅MOSFET,ASC30N1200MT7,爱仕特

ASC30N1200MT7是深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发的一款N沟道SiC MOSFET（碳化硅MOSFET），它提供了优越的开关性能和更高的可靠性，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。因此，系统的优点包括更高的效率，更快的工作频率，更高的功率密度，更低的电磁干扰以及系统尺寸减小。

该器件采用TO-263-7封装，在Tc=25℃的条件下，漏源电压为1200V，连续漏极电流为32A，耗散功率为145W。

产品外观和内部电路图

特点：

●低电容高速开关

●高阻断电压，低导通内阻R_DS(on)

●带有独立驱动源极引脚的优化封装

●易于并联和驱动简单

●符合ROHS标准，无卤素

应用：

●电动汽车充电

●高压DC/DC转换器

●开关电源

●功率因数校正模块

绝对最大额定参数(Tc=25℃)：

改1.png

电气特性(T_J=25℃，除非另有说明)：

典型性能—静态

热特性

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