【产品】铨力半导体推出的N沟道功率MOSFET AP2020K，漏源电压最大额定值为20V，用于开关电源等领域
铨力半导体推出的N沟道功率MOSFET AP2020K，TC=25℃，漏源电压最大额定值为20V，栅源电压最大额定值为±12V。可提供无铅和绿色器件，具有低RDS(ON)以最大限度地减少导通损耗和高雪崩电流的优点，可用于开关电源（SMPS）和负载开关。
特征
20V,90A
RDS(ON)=2.9mΩ（典型值）@VGS=4.5V
RDS(ON)=4.0mΩ（典型值）@VGS=2.5V
提供无铅和绿色器件
低RDS(ON)以最大限度地减少导通损耗
高雪崩电流
应用
开关电源（SMPS）
负载开关
绝对最大额定值参数（TC=25℃，除非特别说明）
电气参数（TC=25℃，除非特别说明）
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.TJ=25℃，VG=4.5V，RG=25Ω
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤0.5%
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产品型号
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品类
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Package Type
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Configuration
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MOSFET Type
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VDS (V)
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VGS (V)
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Vth (V)
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
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ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
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AP2302B
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Trench Mos
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SOT23
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Single
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N
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20
|
±8
|
0.5-1.2
|
-
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45/52
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52/67
|
-
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2
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-
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选型表 - 铨力半导体 立即选型
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