【产品】铨力半导体推出的N沟道功率MOSFET AP2020K，漏源电压最大额定值为20V，用于开关电源等领域
铨力半导体推出的N沟道功率MOSFET AP2020K，TC=25℃，漏源电压最大额定值为20V，栅源电压最大额定值为±12V。可提供无铅和绿色器件，具有低RDS(ON)以最大限度地减少导通损耗和高雪崩电流的优点，可用于开关电源（SMPS）和负载开关。
特征
20V,90A
RDS(ON)=2.9mΩ（典型值）@VGS=4.5V
RDS(ON)=4.0mΩ（典型值）@VGS=2.5V
提供无铅和绿色器件
低RDS(ON)以最大限度地减少导通损耗
高雪崩电流
应用
开关电源（SMPS）
负载开关
绝对最大额定值参数（TC=25℃，除非特别说明）
电气参数（TC=25℃，除非特别说明）
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.TJ=25℃，VG=4.5V，RG=25Ω
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤0.5%
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由叫我大表哥吧翻译自铨力半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】采用DFN3*3封装的N沟道功率MOSFET AP0803QD，导通电阻低至9mΩ
AP0803QD系列是铨力半导体推出的采用创新设计和硅工艺技术的N沟道功率MOSFET，实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。采用DFN3*3封装，为设计者提供了一种极为高效的器件，可广泛用于各种电源应用领域。
产品 发布时间 : 2022-04-26
【产品】适合负载开关应用的N沟道功率MOSFET AP1606系列，沟槽处理技术设计实现低导通电阻
铨力半导体旗下的AP1606系列N沟道功率MOSFET，采用沟槽处理技术设计，实现尽可能低的导通电阻，它的静态漏源导通电阻RDS(ON)典型值为210mΩ（VGS=2.5V，ID=0.5A）。这款器件具有开关速度快、传输效率高、无铅、符合RoHS标准等特性。
产品 发布时间 : 2022-01-07
【产品】AP6009S型N沟道功率MOSFET，采用先进沟槽技术，静态漏源导通电阻小于18mΩ
AP6009S是铨力半导体推出的采用先进沟槽技术设计的的N沟道功率MOSFET，采用超低导通电阻的高密度单元设计，静态漏源导通电阻RDS(ON)小于18mΩ@VGS=10V（典型值为14 mΩ），低导通电阻有效地降低了开关损耗，应用范围广泛。
产品 发布时间 : 2021-12-17
【产品】CJAB20N03 N沟道功率MOSFET，采用PDFNWB3.3×3.3-8L塑封，漏源电压最大为30V
长晶科技推出的CJAB20N03是PDFNWB3.3×3.3-8L塑封N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术设计，具有低栅极电荷和漏源导通电阻。该器件封装具有良好的散热性，适用于多种应用，包括SMPS，硬开关和高频电路，不间断电源等领域。
新产品 发布时间 : 2020-11-20
【产品】上海贝岭推出硅N沟道增强型功率MOSFET BLS65R380，适用于高频开关电源
BLS65R380是上海贝岭推出的一款硅N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的超结技术，可降低导通损耗，提高开关性能。 该晶体管适用于SMPS、高速开关和通用应用场合。
新产品 发布时间 : 2022-02-20
【产品】75V,70A的N沟道功率MOSFET P70F7R5EN，导通电阻仅3.8mΩ
Shindengen（新电元）半导体公司推出了一款型号为P70F7R5EN适用于开关电源的N沟道MOSFET，10V栅极驱动，具有绝缘封装、低导通电阻、低电容的特点。可应用于DC-DC转换，继电器驱动，电源转换器电路等应用。
新产品 发布时间 : 2018-05-03
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论