【产品】功耗400mW的RB520ZS8A30,RB521ZS8A30肖特基二极管,正向压降低至0.37V
ROHM半导体公司推出的两款RB520ZS8A30、RB521ZS8A30肖特基二极管阵列,这两款产品均内置4路独立的肖特基势垒二极管,采用DFN 1608-8封装,能够大幅降低PCB占用面积,适用于紧凑型场合。其具有低功耗、低反向漏电流和超低正向电压降等特点,RB520ZS8A30、RB521ZS8A30肖特基二极管专为需要低正向压降的应用而设计,可用于二次侧整流、DC/DC转换器和防反二极管等应用。
RB520ZS8A30、RB521ZS8A30肖特基二极管的反向电压VR均为30V,平均整流正向电流IO为100mA,可以较好应用在小电流整流电路中,正向浪涌峰值电流IFSM为0.5A,具有一定的浪涌保护能力。RB520ZS8A30、RB521ZS8A30肖特基二极管的存储温度范围为-55~150℃,最高结温为150℃,具有较高的高温耐受能力,能够适应较为恶劣的工业环境。器件的损耗功率PD仅400mW,减少能量损耗,有效提高了能源利用效率。
RB520ZS8A30肖特基二极管的正向电压VF最大值为0.46V(IF=10mA),反向电流IR最大值为0.3µA (VR=10V),RB521ZS8A30肖特基二极管的正向电压VF最大值为0.37V(IF=10mA),反向电流IR最大值仅为7µA(VR=10V)。低正向电压降使二极管具有易于驱动的突出特点,非常便于设计者对电路的设计,并且可以降低所需电压的条件,有利于电路启动。超低反向漏电流则能够在二极管工作期间最大限度地降低功率损耗,提高电路效率。
图一:RB520ZS8A30肖特基二极管特性曲线
图二:RB521ZS8A30肖特基二极管特性曲线
图三:RB520ZS8A30、RB521ZS8A30肖特基二极管轮廓图及内部电路图
RB520ZS8A30、RB521ZS8A30肖特基二极管的主要特点:
•低正向电压VF:最大值为0.37V/0.46V(IF=10mA)
•低反向电流IR:最大值为7µA/0.3µA(VR=10V)
•损耗功率PD仅400mW
•平均整流正向电流IO为100mA
RB520ZS8A30、RB521ZS8A30肖特基二极管的主要应用:
• 需要低正向压降的应用
•DC / DC转换器
•二次侧整流
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snake Lv4. 资深工程师 2018-11-08正向压降还可以
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滴滴 Lv4. 资深工程师 2018-10-25参阅
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幸福 Lv7. 资深专家 2018-10-18学习
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型号- YQ10RSM10SD,RBQ20BGE65A,RFN20NS6S,RBQ20NS65A,RR1VWM4STFTR,VS3V3BT1FS,RFV12TG6S,RB238T-60,RF071MM2S,RFN10BGE3S,RSX101VYM30,PDZV,RFUH20NS3S,VS17VUA1VWM,SMF26V,RB098BGE100,RB058LAM150,RB238NS150,RB088LAM-60,RB400VYM-50,VS17VUA1LAM,RBE2VAM20A,MMBZ30VALY,RFUH20NS4S,EDZV,RF1601T2D,BAW56HY,DAN202UM,RB298T100,VS110VLNVWM,RB168VYM150,SMF24V,RFN5BGE6S,TDZV SERIES,VS20VUA1VWM,RBS2LAM40A,BAS40HY,RFN10BGE6S,RBS2LAM40B,RBS2LAM40C,RFNL10TJ6S,RF101L4S,VS4V5BU1QS,RBR30NS30A,RRE02VTM6S,RF601BGE2D,VS12VBA1HS,KDZLV SERIES,SMF22V,RBR10RSM40B,RB551ASA-30,1SS355VMFHTE-17,RB521ASA-30,RBR2LB30A,RBQ10BGE10A,RB168MM200,DAP222ZM,RFN10NS3S,RF101L2S,RFN20NS4S,RFVS8TG6S,RB058RSM15S,RSX058BM2S,RB540VM-30,RF501BM2S,RB531VM-30,SMF20V,RFN10NS4S,RB168LAM150,RSX101MM-30TFTR,RB238NS-30,RFN6T2D,RFN5BGE2S,RFC02MM2S,RFN20NS3S,RB540VM-40,RB098BGE150,RB068LB100,UFZV 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