【产品】功耗400mW的RB520ZS8A30，RB521ZS8A30肖特基二极管，正向压降低至0.37V
ROHM半导体公司推出的两款RB520ZS8A30、RB521ZS8A30肖特基二极管阵列，这两款产品均内置4路独立的肖特基势垒二极管，采用DFN 1608-8封装，能够大幅降低PCB占用面积，适用于紧凑型场合。其具有低功耗、低反向漏电流和超低正向电压降等特点，RB520ZS8A30、RB521ZS8A30肖特基二极管专为需要低正向压降的应用而设计，可用于二次侧整流、DC/DC转换器和防反二极管等应用。
RB520ZS8A30、RB521ZS8A30肖特基二极管的反向电压VR均为30V，平均整流正向电流IO为100mA，可以较好应用在小电流整流电路中，正向浪涌峰值电流IFSM为0.5A，具有一定的浪涌保护能力。RB520ZS8A30、RB521ZS8A30肖特基二极管的存储温度范围为-55~150℃，最高结温为150℃，具有较高的高温耐受能力，能够适应较为恶劣的工业环境。器件的损耗功率PD仅400mW，减少能量损耗，有效提高了能源利用效率。
RB520ZS8A30肖特基二极管的正向电压VF最大值为0.46V（IF=10mA），反向电流IR最大值为0.3µA （VR=10V），RB521ZS8A30肖特基二极管的正向电压VF最大值为0.37V（IF=10mA），反向电流IR最大值仅为7µA（VR=10V）。低正向电压降使二极管具有易于驱动的突出特点，非常便于设计者对电路的设计，并且可以降低所需电压的条件，有利于电路启动。超低反向漏电流则能够在二极管工作期间最大限度地降低功率损耗，提高电路效率。
图一：RB520ZS8A30肖特基二极管特性曲线
图二：RB521ZS8A30肖特基二极管特性曲线
图三：RB520ZS8A30、RB521ZS8A30肖特基二极管轮廓图及内部电路图
RB520ZS8A30、RB521ZS8A30肖特基二极管的主要特点：
•低正向电压VF：最大值为0.37V/0.46V（IF=10mA）
•低反向电流IR：最大值为7µA/0.3µA（VR=10V）
•损耗功率PD仅400mW
•平均整流正向电流IO为100mA
RB520ZS8A30、RB521ZS8A30肖特基二极管的主要应用：
• 需要低正向压降的应用
•DC / DC转换器
•二次侧整流
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snake Lv4. 资深工程师 2018-11-08正向压降还可以 -
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滴滴 Lv4. 资深工程师 2018-10-25参阅 -
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幸福 Lv7. 资深专家 2018-10-18学习
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