【应用】Silicon Labs Si8285-EVB、Si8286-EVB隔离栅驱动器评估板使用方法
SILICON LABS拥有世界一流工程团队，其使命就是创造高性能、节能且简单同时又能够解决电子行业最棘手问题的产品。Silicon Labs屡获殊荣的技术加上其创新传统，正在塑造物联网、互联网基础设施、工业自动化、消费类和汽车市场的未来。
Si8285_86评估套件包含以下项目：
• Si8285_86-EVB
• 评估板上安装了Si8285CD-IS和Si8286CD-IS。
图1 Si8285-EVB、Si8286-EVB产品图
Si8285-EVB、Si8286-EVB可用于演示已安装的Si8285CD-IS和Si8286CD-IS的隔离栅极驱动功能，以及特定驱动MOSFET和IGBT的功能。EVB分为两部分并分别独立工作 ， 一部分用于Si8285，另一部分用于Si8286。
Si8285低压侧连接：
通过在端子排J1处向VDDA施加3至5.5 VDC，为Si8285的输入侧供电。 接线盒J1上方的LED D1亮起表示电路正常。
J7-J11单引脚接头可以访问Si8285的IN +，IN-，RSTb输入信号和FLTb和RDY输出信号。这些信号可以使用带状电缆传送到外部微控制器。FLTb输出信号具有VDDA的上拉电阻，为漏极开路输出。
Si8285隔离栅极驱动连接：
在端子排J3处应用VDDB，VMID和VSSB，为Si8285的输出侧供电。在典型的MOSFET驱动器应用中，VMID = VSSB。在驱动IGBT运行时，相对于VMID，VDDB和VSSB IGBT的典型值为+15 V和-9 V。接线盒J3上方的LED灯D2亮起以显示所施加的电力，表示电路正常。
替代配置：
栅极驱动器的标准配置是在PWM周期的高驱动部分期间将正电压VDDB-VMID施加到栅极，并且在PWM周期的低驱动部分期间将负电压VSSB-VMID施加到栅极。或者，如果只需要正驱动电压，则在J3 / J6的端子2和3处短接VSSB和VMID。
展示驱动程序功能：
即使没有负载，Si8285的基本功能也可以正常运行。使用相同的方法，还可以演示Si8286的基本功能。
1. 对VDDA施加5 V电压。D1将亮起。
2. 在VDDB和VMID之间施加15 V电压。 在VMID和VSSB之间施加-9 V电压（VMID 9 V高于VSSB）。 D2会亮起。
3. 使用J2端子之间的导线将VPWR短接到VMID。 这会禁用退饱和侦测并允许Si8285正常运行。
4. 在J9可以观察到RDY输出5 V。
5. 对J10，IN +和J11，IN-均施加5 V电压。 Si8285将以低电平运行，并且可以在C8上观察到-9 V。
6. 对J10，IN +施加5 V电压，对J11，IN-施加0 V电压。 Si8285将以高电平运行，在C8上可以观察到+15 V.
7. 去除J2上的短路帽。
8. 在没有DSAT电流路径的情况下，在J8上可以观察到：DSAT引脚的电压上升，Si8285将驱动输出为低电平，并将FLTb驱动为0 V。
9. 再一次，在J2W的VPWR和VMID之间放置短路。将RSTb输入驱动至0 V。这将清除故障，并在J8，FLTb上观察到5 V.
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