【应用】Silicon Labs Si8285-EVB、Si8286-EVB隔离栅驱动器评估板使用方法
SILICON LABS拥有世界一流工程团队,其使命就是创造高性能、节能且简单同时又能够解决电子行业最棘手问题的产品。Silicon Labs屡获殊荣的技术加上其创新传统,正在塑造物联网、互联网基础设施、工业自动化、消费类和汽车市场的未来。
Si8285_86评估套件包含以下项目:
• Si8285_86-EVB
• 评估板上安装了Si8285CD-IS和Si8286CD-IS。
图1 Si8285-EVB、Si8286-EVB产品图
Si8285-EVB、Si8286-EVB可用于演示已安装的Si8285CD-IS和Si8286CD-IS的隔离栅极驱动功能,以及特定驱动MOSFET和IGBT的功能。EVB分为两部分并分别独立工作 , 一部分用于Si8285,另一部分用于Si8286。
Si8285低压侧连接:
通过在端子排J1处向VDDA施加3至5.5 VDC,为Si8285的输入侧供电。 接线盒J1上方的LED D1亮起表示电路正常。
J7-J11单引脚接头可以访问Si8285的IN +,IN-,RSTb输入信号和FLTb和RDY输出信号。这些信号可以使用带状电缆传送到外部微控制器。FLTb输出信号具有VDDA的上拉电阻,为漏极开路输出。
Si8285隔离栅极驱动连接:
在端子排J3处应用VDDB,VMID和VSSB,为Si8285的输出侧供电。在典型的MOSFET驱动器应用中,VMID = VSSB。在驱动IGBT运行时,相对于VMID,VDDB和VSSB IGBT的典型值为+15 V和-9 V。接线盒J3上方的LED灯D2亮起以显示所施加的电力,表示电路正常。
替代配置:
栅极驱动器的标准配置是在PWM周期的高驱动部分期间将正电压VDDB-VMID施加到栅极,并且在PWM周期的低驱动部分期间将负电压VSSB-VMID施加到栅极。或者,如果只需要正驱动电压,则在J3 / J6的端子2和3处短接VSSB和VMID。
展示驱动程序功能:
即使没有负载,Si8285的基本功能也可以正常运行。使用相同的方法,还可以演示Si8286的基本功能。
1. 对VDDA施加5 V电压。D1将亮起。
2. 在VDDB和VMID之间施加15 V电压。 在VMID和VSSB之间施加-9 V电压(VMID 9 V高于VSSB)。 D2会亮起。
3. 使用J2端子之间的导线将VPWR短接到VMID。 这会禁用退饱和侦测并允许Si8285正常运行。
4. 在J9可以观察到RDY输出5 V。
5. 对J10,IN +和J11,IN-均施加5 V电压。 Si8285将以低电平运行,并且可以在C8上观察到-9 V。
6. 对J10,IN +施加5 V电压,对J11,IN-施加0 V电压。 Si8285将以高电平运行,在C8上可以观察到+15 V.
7. 去除J2上的短路帽。
8. 在没有DSAT电流路径的情况下,在J8上可以观察到:DSAT引脚的电压上升,Si8285将驱动输出为低电平,并将FLTb驱动为0 V。
9. 再一次,在J2W的VPWR和VMID之间放置短路。将RSTb输入驱动至0 V。这将清除故障,并在J8,FLTb上观察到5 V.
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