【应用】EPC增强型GaN器件EPC2055助力PD快充移动电源,尺寸仅2.5*1.5mm

2022-04-27 世强
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PD快充作为当下许多手机、平板等智能设备的重要功能之一,早已受到众多电子产品消费者的热捧。而随着技术的不断创新,PD快充不仅仅只应用在平时大家所熟知的AC-DC适配器上,带有PD快充功能的移动电源(充电宝)正在慢慢进入大家视野。本文主要介绍EPC GaN器件EPC2055在PD快充移动电源上的应用。


应用框图如下:

之前美国著名的上市公司Alpine4曾做过市场调研,发现2w毫安的PD快充移动电源没有1w毫安的PD快充移动电源更受欢迎,原因是1w毫安体积更小,便于携带。所以在此笔者推荐的EPC2055,和普通硅MOS相比同等条件下,尺寸更小仅为2.5*1.5mm,极大减少了电路板面积,同时导通损耗更小,转换效率高。


主要特点优势:

1、尺寸极小,仅为2.5*1.5mm;

2、导通电阻最大仅为3.6mΩ(@Vgs=5v,Id=15A),损耗小,效率高;

3、反向恢复电荷为零;

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选型指南  -  无锡紫光微  - 第六版  - 2020年6月 PDF 中文 下载

慕尼黑上海电子展圆满落幕:能华半导体以创新之名,亮GaN技术之锋芒

2024年7月8至10日,备受瞩目的慕尼黑上海电子展圆满落下帷幕。在此次盛会中,CorEnergy能华半导体在展会上以创新与实力并重的产品阵容惊艳亮相,展示出了一系列以D-Mode氮化镓技术为基础的功率氮化镓器件以及6寸和8寸的D- Mode和E-Mode氮化镓晶圆产品,目前亦是国内为数不多的研发产出8寸氮化镓晶圆的厂商。

原厂动态    发布时间 : 2024-08-16

CorEnergy(能华半导体)外延片和功率器件选型指南

描述- 作为行业领先的以氮化镓功率器件为主的IDM公司,目前公司的产品线涵盖氮化镓外延片、氮化镓功率场效应管、氮化镓集成功率器件以及氮化镓芯片代工等。As a leading IDM company in the industry mainly focused on GaN power devices, the company's product portfolio currently covers GaN epitaxial wafers, GaN power field-effect transistors, GaN integrated circuits, and customer-specified GaN foundry services.

型号- CE65H900TOBI,CE65E160DNHI,CE65H270DNFI,CE65H600TOGI,CE65H160DNFI,CE65H600TOEI,CE65H160TOAIF,CE65E300DNYI,CE65H070TODI,CE65H160DNHI,CE65H270DNHI,CE65D150DNBI,CE65H270TOBI,CE65H270TOHI,CE65H270DNGI,CE65H900TOEI,CE12E075DNHI,CE65H110DNDI,CE65H160DNGI,CE12H160DNFI,CE65H600TOHI,CE65H160TOFIF,CE65H070TOCI,CE65H600TOBI,CE65E160DNYI,CE65H900TOGI,CE65H270TOGI,CE65H110TOFI,CE90E075DNHI,CE65H270TOEI

选型指南  -  CORENERGY  - 2023/4/20 PDF 中英文 下载

聚能创芯参加2024上海慕尼黑电子展,展示650V系列氮化镓功率器件产品

2024年7月8日-10日,2024年慕尼黑电子展在上海新国际博览中心成功举办。此次展会上,聚能创芯展示了650V系列氮化镓功率器件产品,以及45W及65W家居墙插和轨道插座方案、65W氮化镓超薄及高频PD快充方案、120W LED照明方案以及120W适配器方案,得到了众多国内外客户的肯定。

原厂动态    发布时间 : 2024-07-18

纯国产技术30W~120W氮化镓PD快充,聚能创芯提供GaN功率器件产品和技术解决方案

与Si元器件相比,GaN具有高击穿电场强度、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点,可大幅提升器件与系统的功率密度、工作频率与能量转换效率。11月1日,聚能创芯与世强达成战略合作,授权世强全线代理旗下GaN功率器件和GaN外延片等产品,相关资料已上线平台。

公司动态    发布时间 : 2021-11-30

正芯RealChip®(GaN)氮化镓功率器件量产,国际高性价比

RealChip®正芯®半导体技术,作为20年历史的国际卓越MOSFET功率器件、晶体管及芯片研发设计企业,产品已在全球多个国家被客户广泛应用,于2023年量产多款全球性价比最佳的GaN氮化镓功率器件,为客户追求小体积、高性能、降成本提供了最佳选择。

原厂动态    发布时间 : 2024-07-17

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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

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可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。

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