【应用】EPC增强型GaN器件EPC2055助力PD快充移动电源,尺寸仅2.5*1.5mm

2022-04-27 世强
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PD快充作为当下许多手机、平板等智能设备的重要功能之一,早已受到众多电子产品消费者的热捧。而随着技术的不断创新,PD快充不仅仅只应用在平时大家所熟知的AC-DC适配器上,带有PD快充功能的移动电源(充电宝)正在慢慢进入大家视野。本文主要介绍EPC GaN器件EPC2055在PD快充移动电源上的应用。


应用框图如下:

之前美国著名的上市公司Alpine4曾做过市场调研,发现2w毫安的PD快充移动电源没有1w毫安的PD快充移动电源更受欢迎,原因是1w毫安体积更小,便于携带。所以在此笔者推荐的EPC2055,和普通硅MOS相比同等条件下,尺寸更小仅为2.5*1.5mm,极大减少了电路板面积,同时导通损耗更小,转换效率高。


主要特点优势:

1、尺寸极小,仅为2.5*1.5mm;

2、导通电阻最大仅为3.6mΩ(@Vgs=5v,Id=15A),损耗小,效率高;

3、反向恢复电荷为零;

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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20230219  - 商品及供应商介绍  - 20230219版 代理服务 技术支持 采购服务

EPC eGaN®FET/晶体管选型表

EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V

产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

选型表  -  EPC 立即选型

氮化镓可靠性和寿命预测:第16阶段

本报告详细探讨了氮化镓(GaN)器件的可靠性,包括失效机制、测试方法以及在不同应用中的可靠性预测。报告重点介绍了测试至失效方法在确定GaN器件内在失效机制方面的作用,并提供了针对不同应用(如太阳能、DC-DC转换和激光雷达)的可靠性预测指南。此外,报告还讨论了热机械可靠性、过电压指南以及优化焊接工艺的方法。

EPC  -  单片硅基氮化镓激光器驱动器集成电路,ETOF激光驱动器IC,GAN FETS,GAN DEVICES,LOW-VOLTAGE GALLIUM NITRIDE POWER DEVICES,DISCRETE FETS,氮化镓器件,氮化镓场效应晶体管,GAN LIDAR ICS,氮化镓激光雷达集成电路,ETOF LASER DRIVER IC,离散场效应晶体管,DC-DC CONVERTERS,MONOLITHIC GAN-ON-SI LASER DRIVER ICS,LOW-VOLTAGE GAN POWER DEVICES,GAN TRANSISTORS,GALLIUM NITRIDE DEVICES,DC-DC转换器,氮化镓晶体管,低压氮化镓功率器件,EPC2302,EPC2218A,EPC23102,EPC21701,EPC21601,DC-DC,RANGING,激光雷达,直流-直流,SOLAR,LIDAR,LIGHT DETECTION,太阳的,电动机驱动,MOTOR DRIVES,测距,光探测

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CORENERGY  -  氮化镓功率场效应管,RF HEMT,氮化镓集成功率器件,D模式高电子迁移率晶体管,GAN EPITAXY,氮化镓外延片,功率高电子迁移率晶体管,POWER HEMT,射频高电子迁移率晶体管,D-MODE HEMT,E型高电子迁移率晶体管,氮化镓外延,E-MODE HEMT,氮化镓芯片,功率器件,CE65H900TOBI,CE65E160DNHI,CE65H270DNFI,CE65H600TOGI,CE65H160DNFI,CE65H600TOEI,CE65H160TOAIF,CE65E300DNYI,CE65H070TODI,CE65H160DNHI,CE65H270DNHI,CE65D150DNBI,CE65H270TOBI,CE65H270TOHI,CE65H270DNGI,CE65H900TOEI,CE12E075DNHI,CE65H110DNDI,CE65H160DNGI,CE12H160DNFI,CE65H600TOHI,CE65H160TOFIF,CE65H070TOCI,CE65H600TOBI,CE65E160DNYI,CE65H900TOGI,CE65H270TOGI,CE65H110TOFI,CE90E075DNHI,CE65H270TOEI,POWER TOOL,TV,伺服器,汽车,PD FAST CHARGER,SERVER,ADAPTER,个人计算机,电动工具,笔电,适配器,PC,COREGAN POWER,激光电视,COREGAN 电源,PD快速充电器,服务器,氮化钴粉末,消费级应用,工业,PD快充,电视

2023/4/20  - 选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

正芯RealChip®(GaN)氮化镓功率器件量产,国际高性价比

RealChip®正芯®半导体技术,作为20年历史的国际卓越MOSFET功率器件、晶体管及芯片研发设计企业,产品已在全球多个国家被客户广泛应用,于2023年量产多款全球性价比最佳的GaN氮化镓功率器件,为客户追求小体积、高性能、降成本提供了最佳选择。

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纯国产技术30W~120W氮化镓PD快充,聚能创芯提供GaN功率器件产品和技术解决方案

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2024-08-16 -  原厂动态 代理服务 技术支持 采购服务
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品牌:EPC

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品类:Enhancement Mode Power Transistor

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品类:Enhancement Mode Power Transistor

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品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥3.0581

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品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥6.1879

现货: 3,867

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥4.6333

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品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥3.5000

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品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥26.0000

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射频无源器件定制

可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。

最小起订量: 1 提交需求>

低功耗测试

提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>

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授权代理品牌:接插件及结构件

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授权代理品牌:部件、组件及配件

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授权代理品牌:电源及模块

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授权代理品牌:电子材料

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