【产品】SLKOR推出的N沟道增强型场效应晶体管2N7002KT，漏源电压高达60V，可用于电源开关等
SLKOR推出的N沟道增强型场效应晶体管2N7002KT，采用沟槽功率LV MOSFET技术，具有高功率和电流处理能力。TA=25℃时，绝对最大额定值方面，漏源电压VDS为60V，漏极电流ID为100mA，该产品可用于负载/电源开关，接口开关，逻辑电平转换等应用。
产品特点
● VDS 60V
● ID 100mA
● RDS(ON)( at VGS=10V) ＜8.0Ω
● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ＜13.0Ω
● ESD保护高达 2.0KV (HBM)
应用：
负载/电源开关
接口开关
逻辑电平转换
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
A.重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制。
B.这些参数无法验证。
C.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤0.5%。
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品牌：SLKOR
品类：N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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