【应用】国产氮化镓场效应晶体管INN650D02实现高效率小型化的65W A+C快充设计

时间： 2020-09-02 来源：世强

65W的A+C快充设计中快充主要用于反激拓扑电路，控制主回路的开关实现变压器的能量转换。INN650D02是英诺赛科的650V/200mΩ/11A的氮化镓场效应晶体管，采用该氮化镓场效应晶体管在频率120Khz的情况下可实现高效92.3%的小型化65W A+C快充设计。

图1：快充设计的氮化镓INN650D02在反激电源应用原理

图2：INN650D02相关参数

采用INN650D02的驱动开关参考设计：

原理：

Turn-on过程InnoGaN的Ciss通过左图红色回路曲线充电。Turn-off过程InnoGaN的Ciss通过右图红色回路曲线放电。

采用该氮化镓应用原理设计的快充产品体积小。PCBA尺寸是54mmX40.5mmX23mm。

图3：65W的A+C快充DEMO

65W的A+C快充DEMO的实测效率曲线，最大高达92.37%：

如此高效的情况下，依旧保持低温升。整体温度控制在110℃以内。

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全部评论（1）

wqm Lv7. 资深专家 2020-11-30

学习

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