【应用】国产超级结助力10kw电池化成电源,漏源电压可达650V,最大导通电阻40mΩ
电池化成电源主要用于电池化成与分容柜,该柜用于电池生产商做电池的循环寿命测试、电池容量测试、充电和放电测试等,如图1为电池化成电源采用移相全桥拓扑电路图框,可使得控制电路简单,主电路参数简单,实现零电压开关,一次侧主功率开关管主要采用高压MOS设计。这里主要介绍一次侧使用国产紫光微超级结MOS TPW65R040M的优势。
图1 移相全桥拓扑电路图框
在10kw电池化成电源一次侧使用国产紫光微超级结MOS TPW65R040M具有以下优势:
1、TPW65R040M漏源电压VDS最大额定值可达650V,该化成电源的输入电压为DC300V~400V范围,故在应用上保留更大耐压设计,可提高产品的可靠性;
2、其连续漏极电流ID为43.2A@TC=100℃,在满载 10KW功率下,峰值电流最大达30~40A,在实际应用中需要采取并联方式,以减轻单管电流承受能力。故单管电流大,可降低器件数量,减少布局空间;
3、具有低RDS(ON),最大RDS(ON)为40mΩ@VGS=10V,可有效减小导通损耗,降低器件发热,减少散热器件使用,降低设计成本;
4、该MOSFET还具有内置快恢复二极管(FRD),反向恢复时间Trr典型时间为540ns,不需要额外并联FRD,有利于降低系统成本;
5、工作温度范围为-55℃~150℃,具有宽的工作温度范围,可应用于电池老化时的恶劣工况。
图2 TPW65R040M封装以及管脚定义
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产品型号
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品类
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Product State
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封装形式
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Rdson(mΩ) Vgs=10V FT typ
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Rdson(mΩ) Vgs=10V FT max
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BVdss(V) min
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BVdss(V) typ
|
ID(A)
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Vth(V)min
|
Vth(V)max
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应用建议
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TPW120R800A
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SJ-MOSFET
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M
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TO-247
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640
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800
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1200
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1320
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12
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2.5
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4
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辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源
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产品型号
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品类
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Package
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BVdss(V)
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ID(A)Tc=25℃
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Vth(V)min
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Vth(V)max
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Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp
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Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
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TPW50R060C
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Super Junction MOSFET
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TO-247
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