【产品】澜智推出容量为2Gbit的NAND Flash-ZDND2GX，支持多种工作电压，满足工业和商业应用
ZDND2GXXXXX是ZETTA推出的一款具有256Mx8位和8Mx8（x8）的备用容量或具有128Mx16位和4Mx16（x16）位的备用容量的NAND FLASH，该器件采用3.3/1.8 Vcc电源，支持x8和x16 I/O接口。内存分为可独立擦除的块，因此在擦除旧数据时可以保留有效数据，该设备包含2048个块，由64页组成，每页包含32个串联闪存单元的两个NAND结构。
可以在200μs（典型值）完成2112字节的页写操作，可以在2ms（典型值）128K字节块上完成擦除操作。页中的数据可以每字25ns的周期时间（2.7/3V）和每字45ns的周期时间（1.8V）读取。I/O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。该接口允许减少管脚数量，并易于向不同容量迁移，而无需重新排列封装外形。
使用CE#、WE#、ALE和CLE输入引脚同步入命令、数据和地址。片上写/擦除控制器自动执行所有写和擦除功能，包括脉冲重复（如需要）、数据的内部验证和数据裕量检测。可以使用WP#禁能写操作。此设备支持ONFI 1.0规范。输出引脚RB#（开路漏极缓冲器）在每次操作期间发出器件状态信号。在具有多个存储器的系统中，RB#引脚可以全部连接在一起，以提供全局状态信号。
产品特点
X8/X16路I/O总线
NAND接口
地址/数据复用
电源供电
VCC=1.8/2.7/3.3V
页读写
x8:（2048+64备用）字节
x16:（1024+32备用）字节
同步页面读取操作
随机读操作：最多25us
顺序读操作：45ns（1.8V）
25ns（2.7/3.0V）
页写时间：300μs（典型值）
页复制
快速页复制操作，无需外部缓冲区
写缓存
内部缓冲区，提高程序吞吐量
快速块擦除操作
块大小
x8：（128K+4K）字节
x16：（64K+2K）双字节
块擦除时间：2ms（典型值）
内部结构
x8：（2K+64）字节*64页*2048块
x16：（1K+32）字*64页*2048块
电子签名
制造商代码
器件代码
通用状态寄存器
操作温度
商业级：0~70℃
工业级：-40~85℃
数据有效性
50K次写或擦除次数
（4位/512字节ECC）
数据保留时间10年
块0是有效块，在ECC下至少1K个程序擦除周期内有效
引脚定义
内部框图
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