【产品】采用平面条纹DMOS技术的N沟道MOSFET SLP10N65S/SLF10N65S，漏源电压650V

时间： 2022-10-09 来源：美浦森

技术问答

美浦森推出的SLP10N65S/SLF10N65S是两款漏源电压高达650V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森（Maple semi）先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。器件非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

产品绝对最大额定参数（T_C=25℃，除非另有说明）方面，器件漏源电压高达650V；持续漏极电流高达10A@T_C=25℃；脉冲漏极电流高达40A（脉宽受限于最大结温）；栅源电压为±30V；工作结温与存储温度范围宽至-55℃~+150℃，最高焊接温度支持300℃（距离外壳1/8"，持续5s）。对于SLP10N65S/SLF10N65S两款器件，结至外壳热阻值分别为0.8℃/W和2.5℃/W，结至环境热阻值均为62.5℃/W。器件封装和电路图如下所示：

产品特性：

T_C=25℃时，漏源电压650V，持续漏极电流10A
典型值R_DS(on)=0.8Ω@V_GS=10V
低栅极电荷（典型值28.5nC）
高鲁棒性
快速开关特性
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力

绝对最大额定值（T_C=25℃，除非另有说明）

Notes：

1.重复额定值：脉宽受限于最大结温

2.I_AS=6.4A,L=30mH，V_DD=50V，R_G=25Ω，Starting T_J=25℃

3.I_SD≤10A，di/dt≤200A/μs V_DD≤BV_DSS，Starting T_J=25℃

热阻特性

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由Batman翻译自美浦森，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】美浦森600V/12A的N沟道MOSFET SLP12N60C/SLF12N60C，采用平面条纹DMOS技术

美浦森推出的SLP12N60C/SLF12N60C是两款漏源电压高达600V的N沟道MOSFET。采用先进的平面条纹DMOS技术，特别为最小化导通电阻提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。

产品发布时间 : 2022-10-11

100V/15A的N沟道MOSFET SL9968，开关损耗低、开关速度快，适用于工业自动化开关

SL9968是一款具有100V漏源电压和15A连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（80mΩ@10V,4A）和较低的阈值电压（2V@250μA）而著称。这些特性使得SL9968成为电源管理系统中理想的功率半导体器件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合，并且适用于多种中压开关和功率控制应用。

产品发布时间 : 2024-05-29

【产品】低栅极电荷的N沟道MOSFET SLP840C/SLF840C，器件漏源电压高达500V

美浦森推出的SLP840C/SLF840C是两款漏源电压为500V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森（Maplesemi）先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。

产品发布时间 : 2022-12-07

【产品】650V/20A/170mΩ的N沟道MOSFET SLP/F65R170E7

美浦森的650V/20A N沟道MOSFET SLP65R170E7、 SLF65R170E7，采用先进的沟槽技术，这种先进技术适合于最小化导通电阻，提供优越的开关性能，并使MOSFET可以承受雪崩和换流模式下的高能量脉冲。产品外观和内部电路如图1所示。

新产品发布时间 : 2020-08-05

美浦森携N沟道MOSFET和碳化硅MOSFET新品参加2020年广州亚太电源展

2020年8月16至18日，美浦森半导体在广州进出口商品交易会展馆参加了2020亚太国际电源产品及技术展并圆满落幕。美浦森在大会上展示了N沟道MOSFET新品SLF65R170E7和碳化硅MOSFET新品MSK060065M1。

行业资讯发布时间 : 2020-08-25

100V/12A的N沟道MOSFET SL12N10，在便携充能领域中的应用具有重要意义

SL12N10是一款具有100V漏源电压和12A连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（130mΩ@10V，220mA）和较低的阈值电压（2V@250μA）而备受瞩目。在当今便携充能设备如移动电源、无线充电器等的设计中，MOSFET扮演着至关重要的角色，通过合理选用适合的MOSFET，可以提升充电设备的充电效率，减少能量损耗，并确保充电过程的安全可靠。

产品发布时间 : 2024-05-12

【产品】500V N沟道功率MOSFET SLD840F/SLU840F，有着高耐用性的特性

美浦森的500V N沟道功率MOSFET SLD840F/SLU840F是使用Maplesemi先进的平面条纹DMOS技术生产的。这项先进技术经过特别设计，可最大程度地减小导通电阻，提供出色的开关性能，并可以在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。该产品适合用于高效开关模式电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

新产品发布时间 : 2020-07-18

【产品】漏源电压600V的N沟道MOSFET SLP8N60C/F8N60C，栅极电荷典型值29nC

美浦森SLP8N60C/SLF8N60C是漏源电压高达600V的N沟道MOSFET；采用平面条纹DMOS技术，为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计；非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

产品发布时间 : 2022-11-04

60V/340mA的N沟道MOSFET 2N7002KDW，具有低导通电阻和较低的阈值电压

2N7002KDW是一款具有60V漏源电压和340mA连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（5Ω@10V）和较低的阈值电压（2.5V@1mA）而著称。这些特性使得2N7002KDW成为电源管理系统中理想的功率半导体器件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合，并且适用于多种中压开关和功率控制应用。

产品发布时间 : 2024-05-04

SLN30N03T 30V N -Channel MOSFET

型号- SLN30N03T

数据手册 - 美浦森 - Rev2.0 - Mar.2022 PDF 英文下载查看更多版本

【产品】500V/5A的N沟道MOSFET SLP/F5N50S，适合于高效开关模式电源等应用

美浦森（Maplesemi）推出的两款N沟道MOSFET SLP5N50S、SLF5N50S，采用美浦森的先进平面条纹DMOS技术生产，漏源电压500V，连续漏极电流5A，耗散功率分别为73W/38W，采用TO-220/TO-220F封装，适合于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。

新产品发布时间 : 2020-03-12

【元件】時科推出N沟道MOSFET SKG130N10-T，解决电源类产品中的工作效率提升和器件本体发热等难题

時科推出的SKG130N10-T作为一款N沟道的MOSFET，通过先进的沟槽技术设计，有效解决了开发电源类产品中的工作效率提升和器件本体发热等难题。其在高功率应用中表现出色，拥有膏开关速率和低阻抗特性，同时TO-220封装和低RDS(ON)也确保了其出色的散热性能。

新产品发布时间 : 2023-08-08

【产品】漏源电压高达650V的N沟道MOSFET SLP8N65C/SLF8N65C，栅极电荷典型值低至29nC

美浦森推出的SLP8N65C/SLF8N65C是两款漏源电压高达650V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。

产品发布时间 : 2022-10-09

【应用】源漏电压为30V的N沟道MOSFET管HM4884Q助力电脑主板设计，有效降低开关电源电路工作时产生的自身损耗

近年来电脑主板的发展迅猛，集成度越来越高，算力越来越强。为支撑更高集成度和算力，需要在电脑主板上设计更高性能的开关电源电路来保证电源电路的正常工作。虹美近期推出的N沟道增强型功率MOSFET管HM4884Q，这款芯片采用先进的高单元密度沟道技术，为电路主板所需的开关电路设计提供表现优异的通态阻抗和栅极电荷，进一步提升电脑主板电源电路性能。

应用方案发布时间 : 2023-05-08