【选型】Littelfuse 1200V/160mΩ助力车载DC-DC高效运行，可替换传统CoolMOS

时间： 2021-01-19 来源：世强

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车载DC-DC电源作为新能源汽车低压供电的重要组成，工程师们一直致力于产品的效率/可靠性等性能提升。主流方案有：移相全桥/LLC全桥方案，但由于输入电压范围宽，单级方案很难让DC-DC电源一直工作于相对高效区间，比较影响电源效率。于是提出来并联交错BOOST+LLC的两级结构，由于加入了前级BOOST预稳压，宽电压输入情况下保持DC-DC转换器整体高效率运行。

图1 交错BOOST+LLC 车载DC-DC转换器方案

对于效率的极致追求，本文推荐LITTELFUSE 1200V 160mΩ SIC MOS LSIC1MO120E0160应用于BOOST主开关管，替换传统CoolMOS方案，前级BOOST效率得到提升。

同时LSIC1MO120E0160可以兼容C3M0160120D以及SCT3160KL，性能参数对比如下：

从上参数分析：

（1）LSIC1MO120E0160在高温条件下Rdson最低，在相同应用高温工况下，器件导通损耗最低。

（2）LSIC1MO120E0160驱动电压较宽，特别是驱动负压范围宽，减小研发设计难度；

（3）LSIC1MO120E0160封装TO247，常见封装，兼容性强。

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胖胖熊 Lv8. 研究员 2021-02-01

学习

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2021-01-13 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

扬杰科技（YANGJIE）碳化硅产品选型指南

目录- 公司简介命名规则及包装形态 SiC MOSFET SiC肖特基二极管 SiC SBD模块 SiC MOSFET模块应用+产品推介公司实验室平台长期可II性试验测试参考表

型号- YJD2065100NCTGHQ,YJD106520BQG2,YJD212060B7GH,YJD206560B7GH,YJD212060NCTGH,YJD106520FQG2Q,YJD2065200BGH,MB480U065F2,YJD212040T2GH,YJD112020NCTQG2,YJD2120160NCFG1Q,YJD106508PQG2,YJD2120120NCTGHQ,YJD112002DG1,YJD2120120BGH,YJD217045NCFGH,MB60DU12ST,MB80DU12ST,YJD212080NCFG1,YJD206560NCTGH,YJD2120120NCTGH,YJD2120240NCFGH,YJD2120120NCFGHQ,YJD21701K0B7GH,YJD106520DQG2Q,YJD212030NCFGHQ,YJD106506BQG2,YJD212060T2GH,YJD106520PQG2,YJD212040NCTG2,YJD112020BXGG2,YJD212040NCTG1,YJD106502DQG3,MB60DU12STN,YJD21701K0NCTGH,YJD106504PG1,YJD112015PGG2,YJD212040T2GHQ,YJD212030NCTGH,YJD106520NCTQG2,YJD212030T2GH,YJD106540NCTQG2,YJD106510BQG2,YJD106510PQG2Q,YJD112010BQG2,YJD206525NCTGHQ,YJD106502PQG3,YJD106508BQG2,YJD2120240NCTGHQ,YJD212040NCTGH,YJD106510PQG2,MC16UZ12STN,YJD112040NGG2,YJD206550NCFGHQ,YJD106504DG1,YJD212040NCTGHQ,YJD212080NCTGHQ,YJD206560NCFGHQ,YJD106520DQG2,YJD106550BQG3,YJD212080NCFG1Q,YJD112040NCTG1,YJD2120120B7GH,YJD2120160NCFG1,YJD112005PG1,YJD112030NGG2,YJD2065200NCFGH,YJD112030NGG3,YJD2065100NCTGH,YJD112015NG1,YJD212030T2GHQ,YJD106520NCTQG2Q,YJD2120240BGHQ,YJD212080NCFGH,YJD212040NCFGHQ,YJD206520NCTGH,YJD206550NCFGH,YJD2065100B7GHQ,YJD206525NCFGH,YJD206530NCTG1,YJD2120240B7GHQ,YJD212080NCFGHQ,YJD112002PG1,YJD112005DG1,YJD2120240NCTGH,YJD2065100NCFGHQ,YJD206550B7GH,YJD2120120B7GHQ,YJD206560NCTGHQ,YJD206530NCTG1Q,YJD2065200B7GH,YJD112020BGG2,MB120DU12FJ,YJD206525T2GHQ,YJD112015NGG2,YJD106506PQG2,YJD206520NCTGHQ,YJD112030NCTG1,YJD206560NCFG1,YJD112010DQG2,YJD106508DQG2,YJD206530NCFG1Q,YJD212040NCTG1Q,YJD206560NCFG1Q,YJD206560NCFGH,YJD217045NCTGH,YJD112010NQG2,YJD212080NCTG1Q,YJD2120240B7GH,YJD106520PQG2Q,YJD212040NCFG2Q,MB120DU12ST,YJD2120120BGHQ,YJD106520FQG2,YJD2065100B7GH,YJD212080B7G1Q,YJD212060NCFGH,YJD2120240NCFGHQ,YJD212080T2GHQ,YJD212060B7GHQ,YJD112030NCTGG2,YJD112040NCTGG2,YJD112040NCTGG1,YJD212040NCFG2,YJD21701K0NCFGH,YJD106520NQG2Q,YJD212040NCFG1Q,YJD2120120NCFGH,YJD206560B7GHQ,YJD212030NCFGH,YJD106510FQG2,YJD112010FQG2,MB60DU12FJ,YJD206520NCFGHQ,YJD206525T2GH,YJD206550NCTGHQ,MB80DU12FJ,YJD206560NCTG1Q,YJD106506FQG2,MB200DU12FJ,YJD212040NCFG1,YJD112040NQG2,YJD212060T2GHQ,YJD106520BQG2Q,YJD2120240BGH,YJD206550B7GHQ,YJD112010PQG2,YJD212060NCTGHQ,MB480U12F2,YJD2120160NCTG1Q,YJD106510DQG2Q,YJD212080B7GH,YJD212080B7GHQ,YJD212030NCTGHQ,YJD206525NCTGH,YJD112030NG1,YJD106510FQG2Q,YJD212040NCFGH,YJD212080B7G1,YJD2065100NCFGH,YJD112030NQG2,MB200DU12ST,YJD2065200NCTGH,YJD2120160NCTG1,MB180DU065FJ,YJD106508FQG2,YJD212080T2GH,YJD21701K0BGH,YJD106510BQG2Q,YJD212040NCTG2Q,YJD212060NCFGHQ,MB180DU12FJ,YJD212080NCTG1,YJD112005FG1,YJD206525NCFGHQ,YJD112010BXQG2,YJD106520NQG2,YJD212080NCTGH,YJD206550NCTGH,YJD206560NCTG1,YJD106550NQG3,YJD206520NCFGH,YJD206530NCFG1,YJD106506DQG2,YJD112020NGG2,YJD106510DQG2

2023年09月 - 扬杰科技 - 选型指南 - 第一版代理服务技术支持采购服务

【IC】Littelfuse用于SiC MOSFET和高功率IGBT的创新低侧栅极驱动器IX4352NE

Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE通过一种新型9A拉/灌电流驱动器扩展了我们广泛的低侧栅极驱动器系列，简化了SiC MOSFET所需的栅极驱动电路。

2024-05-25 - 产品代理服务技术支持采购服务

利用SMFA系列非对称TVS二极管实现高效SiC MOSFET栅极保护应用说明

描述- 本文介绍了Littelfuse公司推出的SMFA系列非对称TVS二极管，用于保护SiC MOSFET栅极免受正向和负向过电压浪涌的影响。该系列二极管具有不同的击穿电压和钳位电压，适用于不同栅极额定电压的SiC MOSFET。SMFA二极管采用SOD-123FL扁平封装，可减少寄生效应和PCB面积，提高电路的稳健性和可靠性。

型号- SMFA1905CA,SMFA,SMFA1505CA,SMFA1805CA,SMFA系列,SMFA2005CA

2024/9/26 - LITTELFUSE - 用户指南代理服务技术支持采购服务

蓉矽1200V 40mΩ碳化硅产品NC1M120C40HT用于车载充电机，整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上

蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。采用1200V SiC器件可以简化系统拓扑复杂度，总损耗可降低50%以上，磁性器件体积可降低70%以上。整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上。

2024-07-17 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【经验】基于栅极驱动器BM6104FV-C与IXDD609的SiC MOSFET驱动电路设计

SiC MOSFET对驱动要求高，主要体现在驱动电压和驱动速度。SiC MOSFET标称驱动电压范围一般为-6~22V，其开启电压一般很低，并随温度上升而降低，但只有达到18-20V时，才能完全开通。硅器件的驱动电压最高一般为15V，所以驱动不能直接用于驱动SiC MOSFET。笔者针对应用要求，在实际设计中选用ROHM BM6104FV-C栅极驱动器并在后级添加力特的IXDD609进行功率放大。

2019-11-05 - 设计经验

用于SiC MOSFET栅极保护的SMFA系列非对称TVS二极管产品简介

描述- SMFA系列不对称TVS二极管专为SiC MOSFET栅极保护设计，提供单组件解决方案，有效降低寄生效应和PCB面积，适用于快速切换的SiC应用。

型号- SMFA,SMFA SERIES

2024/8/28 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【元件】瞻芯电子新推TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET，已通过AEC-Q101认证

瞻芯电子正式量产了一款TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）产品（IV1Q12160D7Z），该产品通过了严格的车规级可靠性测试认证（AEC-Q101）。

2023-06-26 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【元件】瞻芯电子TC3Pak顶部散热封装SiC MOSFET，高频开关、低损耗，助力高效高密电源设计

为了满足高密度的功率变换的需求，瞻芯电子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅（SiC）MOSFET产品，具有低损耗、散热性强等特点，让系统设计更紧凑、更高效，组装时能自动化生产。

2024-11-26 - 产品代理服务技术支持采购服务

蓉矽半导体碳化硅产品在车载充电机中的应用：已通过AEC-Q101测试和HV-H3TRB考核

为了提升充电效率，延长续航里程，800V高压平台成为主流选择。使用1200V碳化硅MOSFET对提升OBC功率密度、降低重量具有积极意义和显著效果。NOVUSEM自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。

2024-07-20 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

功率MOSFET的寄生导通行为和抑制方法

本文中瑶芯微将与大家分享功率MOSFET的寄生导通行为和抑制方法。SiC MOSFET和Super Junction MOSFET（简称SJ MOS）都是高速功率器件，经常被应用于大功率AC-DC电源、电动汽车充电桩、OBC等高频应用场合。较低的导通电阻和高速开关特性，获得较低的导通损耗和开关损耗，助力电源获得越来越高的功率密度，更小的体积，更高的效率，助力降低碳排放。

2023-12-30 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务