【产品】采用先进沟槽技术的P沟道增强型MOSFET AP30P06K，具有出色漏源导通电阻和低栅极电荷特性
铨力半导体推出一款采用TO-252封装的P沟道增强型MOSFET——AP30P06K，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
特点
漏源电压VDS=-60V，连续漏极电流ID=-30A
漏源导通电阻RDS(ON)<30mΩ@VGS=-10V（典型值23mΩ）
漏源导通电阻RDS(ON)<38mΩ@VGS=-4.5V（典型值27mΩ）
采用先进的沟槽技术
无铅产品
具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性
应用
PWM应用
负载开关
电源管理
绝对最大额定值参数（Ta=25℃，除非特别说明）:
电气参数(Ta=25℃，除非特别说明)
注：
1、重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2、EAS条件：TJ=25℃，VDD=-30V，L=0.5mH，RG=20Ω
3、脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4、表面贴装在FR4板，t≤10s
封装标识及订购信息
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产品型号
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品类
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Package Type
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Configuration
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MOSFET Type
|
VDS (V)
|
VGS (V)
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Vth (V)
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
|
|
AP2302B
|
Trench Mos
|
SOT23
|
Single
|
N
|
20
|
±8
|
0.5-1.2
|
-
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45/52
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52/67
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-
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2
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-
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选型表 - 铨力半导体 立即选型
AP25P06Q-Au P沟道增强型MOSFET
描述- 本资料由All Power Microelectronics Co., Ltd提供，主要介绍了某款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的电学特性和测试电路。内容包括绝对最大额定值、电学特性参数、测试电路图以及修订历史。
型号- AP25P06Q-AU
AP40P04G P沟道增强型MOSFET
描述- 该资料介绍了AP40P04G型号的P-Channel Enhancement型MOSFET的特性、电气参数和应用。它采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于PWM应用、负载切换和电源管理等领域。
型号- AP40P04G
AP100P04K-Au P沟道增强型MOSFET
描述- 本资料介绍了AP100P04K-AU型号的P沟道增强型MOSFET。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力等特点，适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域。
型号- AP100P04K-AU
APM9435 P沟道增强型MOSFET数据手册
描述- 本资料介绍了APM9435型P沟道增强型MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高功率处理能力，适用于低压切换、电源管理和电池保护等领域。
型号- APM9435
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描述- 该资料介绍了AP3906GD N和P通道增强型MOSFET的特性、电气参数和应用领域。它提供了器件的最大额定值、电学特性以及封装信息。
型号- AP3906GD
AP2305 P沟道增强型MOSFET数据手册
描述- 该资料详细介绍了AP2305型P沟道增强型MOSFET的电气特性、工作参数、封装信息以及测试电路。资料涵盖了该产品的静态特性、动态特性、开关特性、源漏二极管特性等，并提供了相应的测试电路图。
型号- AP2305
AP2005 N和P沟道增强型MOSFET
描述- 本资料介绍了AP2005型N沟道和P沟道增强型MOSFET的特性。该器件具有高电流处理能力和低导通电阻，适用于开关、负载切换和电源管理等领域。
型号- AP2005
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型号- AP21P015P
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型号- AP40P04K-AU
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