【产品】采用先进沟槽技术的P沟道增强型MOSFET AP30P06K，具有出色漏源导通电阻和低栅极电荷特性
铨力半导体推出一款采用TO-252封装的P沟道增强型MOSFET——AP30P06K，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
特点
漏源电压VDS=-60V，连续漏极电流ID=-30A
漏源导通电阻RDS(ON)<30mΩ@VGS=-10V（典型值23mΩ）
漏源导通电阻RDS(ON)<38mΩ@VGS=-4.5V（典型值27mΩ）
采用先进的沟槽技术
无铅产品
具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性
应用
PWM应用
负载开关
电源管理
绝对最大额定值参数（Ta=25℃，除非特别说明）:
电气参数(Ta=25℃，除非特别说明)
注：
1、重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2、EAS条件：TJ=25℃，VDD=-30V，L=0.5mH，RG=20Ω
3、脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4、表面贴装在FR4板，t≤10s
封装标识及订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Vicky翻译自铨力半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】铨力半导体推出采用SOP-8封装的N和P沟道增强型MOSFET AP2714SD，功率和电流处理能力高
铨力半导体推出一款采用SOP-8封装的N和P沟道增强型MOSFET——AP2714SD，具有高功率和电流处理能力，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理应用。
产品 发布时间 : 2023-04-29
【产品】采用先进沟槽技术的P沟道增强型MOSFET AP40P05，适用于接口开关、负载开关、电源管理等领域
铨力半导体推出一款采用SOT-23封装的P沟道增强型MOSFET——AP40P05，采用先进的沟槽技术，属于无铅产品，适用于接口开关、负载开关、电源管理等应用。
产品 发布时间 : 2023-01-13
【产品】-30V/-60A无铅P沟道增强型MOSFET AP90P03Q，具有出色的Cdv/dt效应衰减
铨力半导体推出一款采用PDFN3X3-8L封装的P沟道增强型MOSFET——AP90P03Q，采用先进的沟槽技术，具有出色的Cdv/dt效应衰减和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
产品 发布时间 : 2023-05-17
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论