【产品】采用先进沟槽技术的P沟道增强型MOSFET AP30P06K，具有出色漏源导通电阻和低栅极电荷特性
铨力半导体推出一款采用TO-252封装的P沟道增强型MOSFET——AP30P06K，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
特点
漏源电压VDS=-60V，连续漏极电流ID=-30A
漏源导通电阻RDS(ON)<30mΩ@VGS=-10V（典型值23mΩ）
漏源导通电阻RDS(ON)<38mΩ@VGS=-4.5V（典型值27mΩ）
采用先进的沟槽技术
无铅产品
具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性
应用
PWM应用
负载开关
电源管理
绝对最大额定值参数（Ta=25℃，除非特别说明）:
电气参数(Ta=25℃，除非特别说明)
注：
1、重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2、EAS条件：TJ=25℃，VDD=-30V，L=0.5mH，RG=20Ω
3、脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4、表面贴装在FR4板，t≤10s
封装标识及订购信息
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|
产品型号
|
品类
|
Package Type
|
Configuration
|
MOSFET Type
|
VDS (V)
|
VGS (V)
|
Vth (V)
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
|
|
AP2302B
|
Trench Mos
|
SOT23
|
Single
|
N
|
20
|
±8
|
0.5-1.2
|
-
|
45/52
|
52/67
|
-
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2
|
-
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选型表 - 铨力半导体 立即选型
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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