【选型】新电元提供分立MOSFET和功率逆变模组用于电动汽车启停逆变电路,具有通流能力强、通态阻抗低等特点
伴随目前电动汽车发展进程越来越来块,新电元也针对汽车市场提出了完备的元器件解决方案,为汽车电子设备提供全车解决方案。本文为客户介绍新电元在汽车自动启停电路上提供的元器件解决方案,新电元在这一块的市场上不仅可提供独立的功率MOS管,还针对用于汽车启停的电路开发了专用的功率模组,用户可在设计中根据需求进行设计,产品支持更加高效的开发,可帮助客户迅速占领市场。
图1 新电元在电动汽车启停上提供的元器件解决方案
如图所示,电动汽车在启停过程中是通过将48V蓄电池的直流电压经过一个由MOSFET管搭建而成的全桥电路逆变成为交流电压,在汽车电机定子上产生旋转磁场,从而控制汽车电动机运转,实现电机启动和停止的目的。相较于传统的使用发动机的汽车而言,这种电机控制的方式省去驱动发动机的过程,因此电动汽车的起步速度更快,越来越受到汽车消费者的喜爱,这也是带动了电动汽车产业链出现技术变革的原因。
对于功率器件而言,整个方案中主要需要实现电路由MOSFET搭成的的全桥逆变电路。针对这块细化市场,新电元推出了两种方案,一种是利用现有成熟的MOSFET,用户自行设计全桥电路,设计者具有充足的选型空间,另一种方式是使用新电元提供的全桥功率模组,提供一体式的器件解决方案,可以帮助用户便捷地开发出可推向市场的产品。
表1 新电元N沟道MOSFET管器件主要参数对比
如上表所示,在使用MOSFET管的方案中,新电元可为用户提供多种品类的功率MOSFET管,P32LF10SLK,P32LF10SNK,P50LF10SLK,P50LF10SNK,P25LF12SLK,P25LF12SNK,P40LF12SLK,P40LF12SNK等型号,前向电流达到25~50A,采用MO-235B近似封装,满足汽车电子器件要求。
对于电动公交等更大功率的应用场合,新电元也提供了P88FP10SNK,P126FP10SNK,P70FP12SNK,P100FP12SNK四种型号,采用SC-83近似封装,通态电流最大可达126A,采用SC-83封装,通态阻抗最大不超过0.0089Ω。用户可以根据自己的功率要求和产品性能进行选型。
图2 新单元推出的功率逆变模组产品外观(左)和原理图符号(右)
表2 新电元功率模组主要参数
新电元推出的功率逆变模组,在一个器件当中集成了6个功率MOSFET管,便于用户在设计时将模组接入电路。目前新电元推出MG031B090004A,MG031G148004A两种型号的模组,未来还将根据市场需求推出更多型号的产品,用于满足不同电流功率应用的需求。目前推出这两款产品具有很高的电流容量,通流能力分别达到了90A和148A,同时通态阻抗非常低,以MG031B090004A为例,在导通电流为45A,栅极和源级电压为10V的条件下,通态阻抗最大为3.2mΩ,减少了器件本身的功耗。采用集成的功率逆变模组的好处在于可以更好地控制元件参数,性能更稳定,符合目前电动汽车快速研发的趋势。因此,在选型时,如果功率逆变模组能够满足应用要求,应尽可能选择逆变模组。
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本文讨论了在电动汽车应用的功率转换器设计中选择CISSOID的1200V三相全桥SiC MOSFET智能功率模块(IPM)体系所带来的益处,尤其表现在该体系是一个可扩展的平台系列。该体系利用了低内耗技术,提供IPM这种已整合的解决方案。
应用方案 发布时间 : 2021-08-26
方舟微(ARK)耗尽型MOSFET/增强型MOSFET/电流调节器选型指南
描述- 成都方舟微电子有限公司成立于2008年,是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。专业从事功率器件的研发、制造与销售,并提供电源管理、电路保护解决方案,ARK可根据客户需求,提供高端定制开发。公司专注于技术创新和应用创新,是以应用为导向不断提升技术水平的行业领军者。以市场需求带动创新研发,以技术发展引导应用升级,是ARK一贯宗旨。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力,自主研发的耗尽型MOSFET、SiCFET、PHOTOMOS继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。
型号- AKP10M60R,DMD4523E,FTP0P1N15G,DMD12C60EA,AKZ35V15R,DMZ32C15EA,DMD02R50A,DMD8515E,DMZ11C60EA,DMX1072,DMZ61C60EA,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMZ25R13EA,DMZ12C15A,DJDO1R120A,DMX25R10EA,DMS04R60A,DMZ25R10EA,DMX11C60EA,FTS10N15G,DMZ1511E,DMS6014E,DMS8550E,DMX5530E,FTZ30P35G,DMX42C10A,AKZ25V15R,DMB16C20A,FTS01N15G,FTF15C35G,AKZ16V15R,DMZ85200E,DMS42C10A,DMX22C40A,FTZ15N35G,DMS22C40A,FTE02P15G,DMZ1520E
SiC器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势
无线电能传输技术是一种新兴的充电技术,通过电磁感应原理将电能从发射侧装置传输到接收侧装置中,再通过功率变换电路给负载进行充电,从而实现非接触式充电。近年来,电动汽车无线充电技术备受关注,并逐步走向商业化应用。本文将重点探讨碳化硅器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势。
应用方案 发布时间 : 2024-09-06
瞻芯电子解读特斯拉Model Y电动汽车Gen-4 主驱逆变器的设计改进和创新
特斯拉Model 3 电动汽车主驱逆变器率先应用碳化硅(SiC) MOSFET,开启了EV动力总成设计的新篇章。本文将比较Model Y和Model 3车型,并列举在主驱逆变器上的主要设计改进和创新。
原厂动态 发布时间 : 2023-04-11
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型
日前,搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于“极氪”电动汽车3种车型的主机逆变器上,有助于延长车辆续航距离以及提高性能。
应用方案 发布时间 : 2024-08-30
昕感科技1200V/7mΩ SiC MOSFET,采用TO247-4PLUS封装,方便实现大电流并联
昕感科技在低导通电阻器件的开发上走在了行业的前列,于2023年推出一款1200V/7mΩ SiC MOSFET产品N2M120007PP0,使用了TO247-4PLUS封装降低器件热阻。该产品工作电流可达300A以上,具有正温度系数,可方便实现大电流并联。同时,昕感新品的漏电流极低,具备优越的高压阻断特性,方便用户使用和节省成本。
产品 发布时间 : 2024-05-18
【元件】业内独创!维安推出内置绝缘封装的高压MOSFET,具有热阻低、温升低、高可靠性的优点
维安创新的内置绝缘封装可将陶瓷绝缘片封装到内部,降低散热器到环境电阻Rth(h-a),内部陶瓷绝缘材料缓冲了功率MOSFET封装中硅片和铜框架的热膨胀系数的差异,显著减少相邻层之间的热失配,提高了功率循环耐受性,进而降低器件结温给应用带来诸多优点。
产品 发布时间 : 2023-11-17
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
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