【产品】30V/150A的N沟道MOS场效应管BRD100N03，采用TO-252塑封封装

时间： 2022-08-05 来源：蓝箭电子

技术问答

蓝箭电子推出的N沟道MOS场效应管 BRD100N03，采用TO-252塑封封装。该产品具有低栅电荷，低反馈电容，开关速度快，是一种无卤产品。其V_DSS值为30V，I_DM值为350A，V_GSS值为±20V。BRD100N03可用于高功率DC/DC转换和功率开关。

图 1 实物图

特性

●低栅电荷

●低反馈电容

●开关速度快

●无卤产品

用途

用于高功率DC/DC转换和功率开关

极限参数

电性能参数

外形尺寸图

图 2

包装规格

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