【产品】-45V/±4.5A/15W的P沟道功率MOSFET RD3H045SP，适用于开关类应用
罗姆（ROHM）半导体集团是全球最知名的半导体厂商之一，RD3H045SP是其推出的P沟道功率MOSFET，具有低导通电阻、快速开关速度、易于并联使用的特点，主要设计用于开关应用。其导通电阻最大仅155mΩ，大大降低了导通损耗和温升。
图1 RD3H045SP产品图及内部电路图
电气特性方面，RD3H045SP漏源电压额定值为-45V，耐压性好；栅源电压额定值为±20V，可有效保护栅极不受损坏；连续漏极电流额定值达±4.5A，脉冲漏极电流额定值达±9.0A，降低了MOSFET被电流击穿的风险。产品结壳热阻最大8.33℃/W，散热性能优异。结温的最大额定值为150℃，工作结温和存储温度范围为-55~150℃，符合工业级温度要求。
RD3H045SPFRA是该器件的车载级产品，通过了AEC-Q101认证。
RD3H045SP 产品特性：
低导通电阻
开关速度快
驱动电路简单
易于并联使用
无铅电镀；符合RoHS标准
RD3H045SP 应用领域：
开关类应用
RD3H045SP 订购信息：
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