【产品】-45V/±4.5A/15W的P沟道功率MOSFET RD3H045SP，适用于开关类应用

时间： 2019-11-18 来源：ROHM

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罗姆（ROHM）半导体集团是全球最知名的半导体厂商之一，RD3H045SP是其推出的P沟道功率MOSFET，具有低导通电阻、快速开关速度、易于并联使用的特点，主要设计用于开关应用。其导通电阻最大仅155mΩ，大大降低了导通损耗和温升。

图1 RD3H045SP产品图及内部电路图

电气特性方面，RD3H045SP漏源电压额定值为-45V，耐压性好；栅源电压额定值为±20V，可有效保护栅极不受损坏；连续漏极电流额定值达±4.5A，脉冲漏极电流额定值达±9.0A，降低了MOSFET被电流击穿的风险。产品结壳热阻最大8.33℃/W，散热性能优异。结温的最大额定值为150℃，工作结温和存储温度范围为-55~150℃，符合工业级温度要求。

RD3H045SPFRA是该器件的车载级产品，通过了AEC-Q101认证。

RD3H045SP 产品特性：

低导通电阻

开关速度快

驱动电路简单

易于并联使用

无铅电镀；符合RoHS标准

RD3H045SP 应用领域：

开关类应用

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454674780 Lv7. 资深专家 2019-11-19

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邀星53174287 Lv7. 资深专家 2019-11-19

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志在四方 Lv5. 技术专家 2019-11-19

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鄗立恒 Lv8. 研究员 2019-11-19

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